公开(公告)号：CN1825757A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610004512.0

申请日：2006-01-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 丘维礼 ,  田中聪 ,  前田功治 ,  赤峰幸德

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/68

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F3/19 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H04B1/0053 ,  H04B1/0458

Abstract: 本发明提供可适合于多条RF频带的多频带低噪声放大器、使芯片尺寸小型化了的无线用半导体集成电路、和外附电路部件的个数少的多频带无线组件。经过1个输入阻抗匹配电路选择性地将多频带的接收信号供给低噪声放大器，切换低噪声放大器的模式，放大接收信号。低噪声放大器由共有与电源电压连接的负载阻抗和接地的退化阻抗的相互并联连接的多个基本放大器构成的前级放大单元、共同输入各基本放大器输出信号的下级放大器、和选择性地使前级放大单元的基本放大器处于接通状态的偏压控制单元构成，依照接收信号的RF频带，使低噪声放大器的输入阻抗最适合于匹配电路。