公开(公告)号：CN101098127A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710138815.6

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 藤岡彻 ,  清水敏彦 ,  大西正己 ,  松本秀俊 ,  田中聪

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/24 ,  H03F1/02 ,  H03F1/07 ,  H04B1/04

CPC classification number: H03F3/604 ,  H03F1/0288

Abstract: 一种RF功率放大器，包括作为并联连接在输入端(RF_In)与输出端(RF_Out)之间的末级功率放大器件的第一和第二放大器(Q1)和(Q2)。在一个半导体芯片上形成放大器(Q1)和(Q2)。将放大器(Q1)的第一偏置电压(Vg1)设定为高于放大器(Q2)的第二偏置电压(Vg2)，以使得放大器(Q1)可工作于B类和AB类之间，(Q2)可工作于C类。放大器(Q1)的第一有效器件尺寸(Wgq1)有意地设定为小于超过半导体芯片的制造误差范围的、放大器(Q2)的第二有效器件尺寸(Wgq2)。能够实现一种RF功率放大器，不管输出功率是高还是低，都呈现出高功率附加效率特性。