公开(公告)号：CN102790735A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210153025.6

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 森宽之 ,  小畑洋幸 ,  北川昌宏 ,  岸上友久 ,  小池智礼 ,  前田登 ,  铃木洋一朗

IPC: H04L25/02 ,  H04L25/12

CPC classification number: H04L25/026

Abstract: 一种由MOSFET（4，5，7）形成的线间切换元件设置在一对信号线（3P，3N）之间。当差分信号的电平从高变为低时，控制电路将FET（4，5，7）导通一固定时间段，从而通过当差分信号的电平转换时降低信号线（3P，3N）之间的阻抗，并且通过使得差分信号波形的失真的能量被FET（4，5，7）的导通电阻吸收，来抑制振铃。

公开(公告)号：CN102790735B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201210153025.6

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 森宽之 ,  小畑洋幸 ,  北川昌宏 ,  岸上友久 ,  小池智礼 ,  前田登 ,  铃木洋一朗

IPC: H04L25/02 ,  H04L25/12

CPC classification number: H04L25/026

Abstract: 一种由MOSFET（4，5，7）形成的线间切换元件设置在一对信号线（3P，3N）之间。当差分信号的电平从高变为低时，控制电路将FET（4，5，7）导通一固定时间段，从而通过当差分信号的电平转换时降低信号线（3P，3N）之间的阻抗，并且通过使得差分信号波形的失真的能量被FET（4，5，7）的导通电阻吸收，来抑制振铃。