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公开(公告)号:CN110226235B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN201880008427.2
申请日:2018-01-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离,在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外,将电场缓和层(15)以直线状构成,将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成,抑制电场的进入。进而,在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间,也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下,抑制电场的进入。
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公开(公告)号:CN110226235A
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201880008427.2
申请日:2018-01-17
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离,在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外,将电场缓和层(15)以直线状构成,将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成,抑制电场的进入。进而,在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间,也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下,抑制电场的进入。
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