公开(公告)号：CN118773740A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410384431.6

申请日：2024-04-01

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 大矢信之 ,  冈本武志 ,  堀合慧祥

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14

Abstract: 在SiC单晶(3)的生长中使电阻率周期性地缓慢反复增减。通过如此制造SiC单晶(3)，即使在SiC单晶(3)的生长中发生异取向晶体(30)，也能够抑制其扩展，能够在生长中使其消失。而且，也不需要用于除去异取向晶体(30)的蚀刻。

公开(公告)号：CN112166210B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201980033272.2

申请日：2019-05-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大矢信之

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

Abstract: 碳化硅单晶制造装置具备：筒形状的坩埚(9)，具有构成反应室的中空部；台座(10)，被配置在坩埚的中空部内，在一面设置SiC单晶(6)的生长用的籽晶(5)，并且配置籽晶的一面为圆形状。此外，具备：气体供给机构(2、3)，从比台座靠下方向籽晶的表面供给用来使SiC单晶生长的SiC原料气体(3a)；以及加热装置(12)，将SiC原料气体加热并分解。并且，具备：旋转机构(11)，通过使台座旋转，从而一边使籽晶旋转一边进行SiC单晶的生长；使台座的中心轴从该台座的旋转中心(R)偏心。

公开(公告)号：CN112166210A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980033272.2

申请日：2019-05-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大矢信之

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

Abstract: 碳化硅单晶制造装置具备：筒形状的坩埚(9)，具有构成反应室的中空部；台座(10)，被配置在坩埚的中空部内，在一面设置SiC单晶(6)的生长用的籽晶(5)，并且配置籽晶的一面为圆形状。此外，具备：气体供给机构(2、3)，从比台座靠下方向籽晶的表面供给用来使SiC单晶生长的SiC原料气体(3a)；以及加热装置(12)，将SiC原料气体加热并分解。并且，具备：旋转机构(11)，通过使台座旋转，从而一边使籽晶旋转一边进行SiC单晶的生长；使台座的中心轴从该台座的旋转中心(R)偏心。