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公开(公告)号:CN112703268B
公开(公告)日:2023-02-21
申请号:CN201980062639.3
申请日:2019-09-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供一种能够准确地测量被氮化处理的被处理体的温度,并抑制化合物层的生成的氮化处理装置以及氮化处理方法。氮化处理装置(1)具备腔室(10)、气体供给部(50)、支撑体(20)、等离子体发生源(30)、加热器(70)、包含测温部(61S)的热电偶丝(61)、收容构件(60)、被处理体用电源(41)以及处理条件控制部(80)。收容构件在与热电偶丝绝缘的状态下以覆盖所述测温部的方式将热电偶丝收容于内部。被处理体用电源以使被处理体(W)以及收容构件被设定为负侧的相同电位的方式向被处理体以及收容构件施加指定的电压。
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公开(公告)号:CN106460152A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580033045.1
申请日:2015-06-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C28/044 , B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , C04B41/5024 , C04B41/5057 , C04B41/5062 , C04B41/522 , C23C14/06 , C23C28/042 , C23C28/42 , C23C28/44 , C23C30/005
Abstract: 本发明提供一种层叠型硬质被膜,其交替地层叠有各1层以上的作为(MaAlbCrcTaD)(BxCyNz)[其中,M为V等,0≤a≤0.35、0.05≤d≤0.35、0≤x≤0.15、0≤y≤0.50、a+b+c+d=1、x+y+z=1]的层A和作为(TiαSiβ)(BxCyNz)[其中,0.05≤β≤0.35、0≤x≤0.15、0≤y≤0.50、α+β=1、x+y+z=1]的层B。
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公开(公告)号:CN112703268A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN201980062639.3
申请日:2019-09-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供一种能够准确地测量被氮化处理的被处理体的温度,并抑制化合物层的生成的氮化处理装置以及氮化处理方法。氮化处理装置(1)具备腔室(10)、气体供给部(50)、支撑体(20)、等离子体发生源(30)、加热器(70)、包含测温部(61S)的热电偶丝(61)、收容构件(60)、被处理体用电源(41)以及处理条件控制部(80)。收容构件在与热电偶丝绝缘的状态下以覆盖所述测温部的方式将热电偶丝收容于内部。被处理体用电源以使被处理体(W)以及收容构件被设定为负侧的相同电位的方式向被处理体以及收容构件施加指定的电压。
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公开(公告)号:CN106460152B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201580033045.1
申请日:2015-06-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C28/044 , B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , C04B41/5024 , C04B41/5057 , C04B41/5062 , C04B41/522 , C23C14/06 , C23C28/042 , C23C28/42 , C23C28/44 , C23C30/005
Abstract: 本发明提供一种层叠型硬质被膜,其交替地层叠有各1层以上的作为(MaAlbCrcTaD)(BxCyNz)[其中,M为V等,0≤a≤0.35、0.05≤d≤0.35、0≤x≤0.15、0≤y≤0.50、a+b+c+d=1、x+y+z=1]的层A和作为(TiαSiβ)(BxCyNz)[其中,0.05≤β≤0.35、0≤x≤0.15、0≤y≤0.50、α+β=1、x+y+z=1]的层B。
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