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公开(公告)号:CN1319192A
公开(公告)日:2001-10-24
申请号:CN00801537.6
申请日:2000-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/0365 , G02B6/02014 , G02B6/02242 , G02B6/02257 , G02B6/02271 , G02B6/03611 , G02B6/03633
Abstract: 在具有由高折射率的中心芯部、设置在其外周上、比该中心芯部折射率还低的台阶型芯部、设置在该台阶型芯部的外周上的、比该台阶型芯部折射率还低的包层构成的折射率分布形状的色散迁移光纤上,通过合适地设定结构参量,在维持实质上为单模以及弯曲损耗在100dB/m以下的条件下,获得可以同时满足扩大Aeff和降低色散损耗的色散迁移光纤。
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公开(公告)号:CN100374886C
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN02154350.X
申请日:2002-11-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/023
CPC classification number: C03B37/01413 , C03B37/02718 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2205/56 , G02B6/03622 , Y02P40/57
Abstract: 一种光纤可通过在包括芯部(1)和第一包层(2)的玻璃棒外面气相沉积SiO2,和拉伸通过第二包层(3)形成的玻璃预制棒来形成。制造单模光纤使第一包层部分的直径D和芯部的直径d的比在4.0到4.8的范围,OH的浓度是0.1ppm或更小。还制造一种光纤使其D/d的比值大于4.8,其OH的浓度是0.1ppm或更小。因此,即使出现氢扩散,仍可以保持1380nm波长范围的初损耗。
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公开(公告)号:CN1285932C
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN00801537.6
申请日:2000-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/0365 , G02B6/02014 , G02B6/02242 , G02B6/02257 , G02B6/02271 , G02B6/03611 , G02B6/03633
Abstract: 在具有由高折射率的中心芯部、设置在其外周上、比该中心芯部折射率还低的台阶型芯部、设置在该台阶型芯部的外周上的、比该台阶型芯部折射率还低的包层构成的折射率分布形状的色散位移光纤上,通过合适地设定结构参量,在维持实质上为单模以及弯曲损耗在100dB/m以下的条件下,获得可以同时满足扩大Aeff和降低色散损耗的色散位移光纤。
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公开(公告)号:CN1421714A
公开(公告)日:2003-06-04
申请号:CN02154350.X
申请日:2002-11-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/16 , C03B37/018 , C03B37/023
CPC classification number: C03B37/01413 , C03B37/02718 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2205/56 , G02B6/03622 , Y02P40/57
Abstract: 一种光纤可通过在包括芯部(1)和第一复层(2)的玻璃棒外面气相沉积SiO2,和拉伸通过第二复层(3)形成的玻璃预制棒来形成。制造单模光纤使第一复层部分的直径D和芯部的直径d的比在4.0到8.0的范围,OH的浓度是0.1ppm或更小。还制造一种光纤使其D/d的比值大于4.8,其OH的浓度是0.1ppm或更小。因此,即使出现氢扩散,仍可以保持1380nm波长范围的初损耗。
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