光纤耦合器制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1188720C

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN97115307.8

    申请日:1997-07-25

    CPC classification number: G02B6/2835

    Abstract: 对于用将两条单模光纤1和2平行放置并在其纵向某一位置熔化并拉伸的方法制成的光纤耦合器来说,偏振相关插入损耗的变化量可以通过在制造过程中在熔化拉伸段3的光耦合区3′扭转一个角度来消除,这一扭转使位于熔化拉伸段的光耦合区3′一端与光纤1和2纵向正交的横截面上连结光纤1和2中心的直线方向与光耦合区3′另一端与光纤纵向正交的横截面上连结两光纤中心的直线方向互成大约90°角。

    光纤
    8.
    发明公开
    光纤 失效

    公开(公告)号:CN1359014A

    公开(公告)日:2002-07-17

    申请号:CN01145666.3

    申请日:2001-10-03

    Abstract: 本发明涉及抗氢性提高了的光纤。光纤包括高浓度锗层和低浓度锗层。高浓度锗层在光纤的中心位置,其含氧化锗,相对于高浓度锗层总重量,浓度为0.1%(重量)或更多。低浓度锗层在高浓度锗层周围,其含氧化锗,相对于低浓度锗层总重量,浓度小于0.1%(重量)。从高浓度锗层漏进低浓度锗层的光功率与经光纤传播的总光功率的比率是0.4%或更小。

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