公开(公告)号：CN114207486A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202180004828.2

申请日：2021-02-22

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 细川宰 ,  北原伦太郎 ,  西村亮一

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036 ,  G02B6/028 ,  H01S3/067

Abstract: 关于活性元素添加光纤(10)的纤芯(11)，半径设定为d，包含第一区域(11a)和第二区域(11b)。第一区域(11a)是从中心轴C到半径ra的区域，添加有活性元素即镱。第二区域(11b)是无间隙地包围第一区域(11a)的到半径d的区域，在第二区域(11b)中添加锗，并且在第二区域(11b)中的从半径rc到半径d的区域中未添加活性元素。在第一区域(11a)中的从中心轴C到半径rb的区域中未添加锗，在第二区域(11b)中添加的掺杂剂的浓度中的锗的浓度最大。

公开(公告)号：CN114207486B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202180004828.2

申请日：2021-02-22

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 细川宰 ,  北原伦太郎 ,  西村亮一

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036 ,  G02B6/028 ,  H01S3/067

Abstract: 关于活性元素添加光纤(10)的纤芯(11)，半径设定为d，包含第一区域(11a)和第二区域(11b)。第一区域(11a)是从中心轴C到半径ra的区域，添加有活性元素即镱。第二区域(11b)是无间隙地包围第一区域(11a)的到半径d的区域，在第二区域(11b)中添加锗，并且在第二区域(11b)中的从半径rc到半径d的区域中未添加活性元素。在第一区域(11a)中的从中心轴C到半径rb的区域中未添加锗，在第二区域(11b)中添加的掺杂剂的浓度中的锗的浓度最大。

公开(公告)号：CN112424133A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047240.8

申请日：2019-09-17

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 细川宰

IPC: C03B37/027 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明提供光纤的制造方法以及光纤的制造装置。光纤的制造方法包括拉丝工序，该拉丝工序一边在加热炉(20)中加热成为光纤(1)的光纤用母材(1P)的下端部，一边进行拉丝，该光纤(1)具有由含有稀土类元素化合物的二氧化硅玻璃构成的芯(10)，就加热炉(20)内的温度分布而言，在从上游侧向下游侧升温至最高温度后降温，且在比成为最高温度的部位更靠下游侧具有温度下降急剧变化的变化点，最高温度为二氧化硅玻璃达到玻璃化转变点以上且二氧化硅玻璃为单相的温度。