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公开(公告)号：CN117794329A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311420596.6
申请日：2023-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/富勒烯面异质结的优化方法，涉及光伏电池材料技术领域，步骤：S1：在有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结上采用2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸材料进行展开处理；S2：对被2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸展开处理后的有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面向异质结进行热处理；本发明还公开了一种采用上述方法制成的高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料；本发明还公开了一种上述高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料在倒置钙钛矿太阳能电池的应用，能够实现钙钛矿薄膜、有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结接触、阴极界面接触质量的全面提升，实现缺陷的全方位钝化及多界面的修饰，改善因缺陷、晶界、界面因素导致的复合损失及稳定性问题。
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公开(公告)号：CN111081883B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201911414112.0
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用了倒置钙钛矿太阳能电池结构，分别用透明导电材料和银作为阳极和对电极，PCBM做电子传输层，用聚氧化乙烯修饰钙钛矿/电子传输层界面；本发明中所采用的聚氧化乙烯能有效增加钙钛矿与电子传输层界面之间的电子传输减小串联电阻增大钙钛矿太阳能电池的填充因子和电流流密度从而提高了其光电转换效率；整体器件效率较无修饰的钙钛矿电池有较明显的提升；该方法工艺简单、成本低廉、效果明显能广泛适用于不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池中，能够大规模生应用。
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公开(公告)号：CN111081883A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911414112.0
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用了倒置钙钛矿太阳能电池结构，分别用透明导电材料和银作为阳极和对电极，PCBM做电子传输层，用聚氧化乙烯修饰钙钛矿/电子传输层界面；本发明中所采用的聚氧化乙烯能有效增加钙钛矿与电子传输层界面之间的电子传输减小串联电阻增大钙钛矿太阳能电池的填充因子和电流流密度从而提高了其光电转换效率；整体器件效率较无修饰的钙钛矿电池有较明显的提升；该方法工艺简单、成本低廉、效果明显能广泛适用于不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池中，能够大规模生应用。
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公开(公告)号：CN109802041A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910082634.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法，属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极，银作为阴极，采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料，以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层，采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构；本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势，能显著增加光的吸收率，提升电子的提取效率以及更小的回滞因子；整体器件制备温度可以控制在100度以内，其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池，并且制作方法简单、成本低廉、效果明显，能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中，可以大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN116916724A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310975799.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池的离子液体热管理方法，涉及光伏电池技术领域。本发明将一种高稳定性的离子液体沉积在钙钛矿薄膜和与其接触的电子传输层界面之间，或加入到钙钛矿薄膜的原材料中，在N2气氛或空气中通过25‑120℃后处理工艺分布在钙钛矿薄膜的表面和晶界，对钙钛矿太阳能电池在实际工作中钙钛矿活性层产生的热进行有效的管理，实现离子液体在有机‑无机杂化钙钛矿太阳能电池中的多功能应用的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117794329B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311420596.6
申请日：2023-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/富勒烯面异质结的优化方法，涉及光伏电池材料技术领域，步骤：S1：在有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结上采用2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸材料进行展开处理；S2：对被2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸展开处理后的有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面向异质结进行热处理；本发明还公开了一种采用上述方法制成的高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料；本发明还公开了一种上述高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料在倒置钙钛矿太阳能电池的应用，能够实现钙钛矿薄膜、有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结接触、阴极界面接触质量的全面提升，实现缺陷的全方位钝化及多界面的修饰，改善因缺陷、晶界、界面因素导致的复合损失及稳定性问题。
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公开(公告)号：CN109802041B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910082634.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法，属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极，银作为阴极，采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料，以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层，采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构；本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势，能显著增加光的吸收率，提升电子的提取效率以及更小的回滞因子；整体器件制备温度可以控制在100度以内，其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池，并且制作方法简单、成本低廉、效果明显，能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中，可以大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN111092157A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911421452.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包含：在透明导电衬底上旋涂空穴传输层，在60～100℃退火处理；将钙钛矿层旋涂于空穴传输层上，在80～140℃退火处理；将旋涂钙钛矿层后的材料置于湿度为24～39％的空气环境中静置；将电子传输层旋涂在钙钛矿层上，在80～100℃退火处理；将阴极修饰层旋涂在电子传输层上；将金属电极真空蒸镀在阴极修饰层上。本发明的方法利用空气中无处不在的水分对钙钛矿薄膜进行处理，使得钙钛矿薄膜与空气充分接触，在水分的作用下使钙钛矿分解再重结晶，以增大钙钛矿晶粒，减少晶界面积，降低缺陷态密度，改善界面电荷传输，从而提高PSCs器件性能。
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公开(公告)号：CN119907607A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510087004.6
申请日：2025-01-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种空穴传输层界面修饰的优化方法及其应用，属于太阳能电池材料技术领域。本发明所选用的修饰材料包括肉桂醇、香茅醇和苯乙醇等，这些材料具有经济和环保的特点，且能够溶解于醇类溶剂，适合采用喷涂等简便方式进行大面积修饰，以实现对空穴传输层的低成本、无损处理。通过这些修饰材料，可以有效改善空穴传输层的表面特性。依赖于极性与非极性功能基团的协同作用，可在空穴传输层与钙钛矿前驱体之间产生铰链效应，从而调控钙钛矿的结晶过程，优化界面接触，进而提升器件性能、稳定性与制备重复性。同时，借助分子功能基团的极性差异，实现有序的分子组装，构建界面电场，从而调控阳极界面的载流子传输动力学，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN115498114A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210800381.6
申请日：2022-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，且公开了一种倒置钙钛矿太阳能电池阴极界面强化处理材料、方法及应用，包括以下步骤：步骤1.制备有机无机杂化钙钛矿薄膜、电子传输层；步骤2.在电子传输层上插入2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]材料及其衍生物的一种或几种混合的阴极界面强化层,本发明与现有技术相比具有更好的稳定性和器件的使用寿命，阴极界面强化层中含有氮杂环，能够化学吸附并配位作用在金属电极上，够抑制金属电极在Cl‑、Br‑、I‑等卤素环境中的电化学腐蚀，提高金属电极的防腐蚀性能，抑制由电极腐蚀所引发的钙钛矿电池的效率衰减。与此同时，阴极界面强化层可以消除界面势垒，提高载流子传输。提升器件性能与寿命。
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