-
公开(公告)号：CN109791932A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058156.7
申请日：2017-08-30
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/1158 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11524 , H01L27/11565 , H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了在衬底上方形成的层堆叠体，所述层堆叠体包括绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。在形成存储器堆叠结构之后，穿过所述层堆叠体形成背侧沟槽。所述牺牲材料层被导电层替换。在形成所述导电层之后，通过所述堆叠体的漏极选择级形成漏极选择级电介质隔离结构。所述漏极选择级电介质隔离结构横向分开导电层的部分，所述导电层的部分用作所述存储器堆叠结构的漏极选择级栅极电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791932B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780058156.7
申请日：2017-08-30
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H10B43/27 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B43/35 , H10B43/10 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/10
Abstract: 本发明提供了在衬底上方形成的层堆叠体，所述层堆叠体包括绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。在形成存储器堆叠结构之后，穿过所述层堆叠体形成背侧沟槽。所述牺牲材料层被导电层替换。在形成所述导电层之后，通过所述堆叠体的漏极选择级形成漏极选择级电介质隔离结构。所述漏极选择级电介质隔离结构横向分开导电层的部分，所述导电层的部分用作所述存储器堆叠结构的漏极选择级栅极电极。
-
公开(公告)号：CN108028256A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054941.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L29/49 , H01L21/285 , H01L27/11534 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L21/443 , H01L21/441 , H01L27/11563 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/443 , H01L21/28556 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/441 , H01L21/76871 , H01L27/0688 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11534 , H01L27/11556 , H01L27/11563 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L29/495 , H01L29/4975
Abstract: 可以采用含硅成核层来提供自对齐模板，以用于在三维存储器器件的形成期间在背侧凹陷内选择性地沉积钨。含硅成核层可以保持为硅层、转换成硅化钨层、或用钨成核层来代替。在随后的钨沉积工艺中可以仅在含硅成核层或由其衍生出的层的表面上进行钨沉积。
-
公开(公告)号：CN107996001A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201680050611.4
申请日：2016-06-09
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/02 , H01L27/1157 , H01L21/283 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L21/283 , H01L27/0207 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体可以形成在基板之上。穿过交替堆叠体形成存储器堆叠体结构和背侧沟槽。通过对绝缘层有选择性地从背侧沟槽移除牺牲材料层来形成背侧凹陷。沉积含钴材料，使得含钴材料至少在相应的背侧凹陷中的含钴材料部分的相邻对之间连续地延伸。在升高的温度下进行退火，以使含钴材料的垂直延伸部分迁移到背侧凹陷中，从而形成被限制在背侧凹陷内的垂直分开的含钴材料部分。绝缘层的侧壁可以是圆化的或者锥形的，以促进含钴材料的迁移。
-
公开(公告)号：CN107996001B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201680050611.4
申请日：2016-06-09
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/02 , H01L27/1157 , H01L21/283 , H01L27/115
Abstract: 绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体可以形成在基板之上。穿过交替堆叠体形成存储器堆叠体结构和背侧沟槽。通过对绝缘层有选择性地从背侧沟槽移除牺牲材料层来形成背侧凹陷。沉积含钴材料，使得含钴材料至少在相应的背侧凹陷中的含钴材料部分的相邻对之间连续地延伸。在升高的温度下进行退火，以使含钴材料的垂直延伸部分迁移到背侧凹陷中，从而形成被限制在背侧凹陷内的垂直分开的含钴材料部分。绝缘层的侧壁可以是圆化的或者锥形的，以促进含钴材料的迁移。
-
公开(公告)号：CN108028256B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201680054941.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L29/49 , H01L21/285 , H01L27/11534 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L21/443 , H01L21/441 , H01L27/11563 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 可以采用含硅成核层来提供自对齐模板，以用于在三维存储器器件的形成期间在背侧凹陷内选择性地沉积钨。含硅成核层可以保持为硅层、转换成硅化钨层、或用钨成核层来代替。在随后的钨沉积工艺中可以仅在含硅成核层或由其衍生出的层的表面上进行钨沉积。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.03 seconds)
