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公开(公告)号：CN111725297B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010514110.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 江艺
Abstract: 本发明提供一种有源层结构及其制作方法。有源层结构的厚度均匀性小于2.5％，包括第一非晶硅半导体层以及第二非晶硅半导体层。本发明通过采用化学气相沉积方法分别使用甲硅烷及氢气或者使用甲硅烷及氩气作为工作气体制作两层非晶硅半导体层，使用甲硅烷及氢气制作的第一非晶硅半导体层中心呈现出的凹状，使用甲硅烷及氩气制作的第二非晶硅半导体层中心呈现的凸状，本发明将凹状与凸状相结合形成均一的有源层结构，其膜层均匀性小于2.5％，从而提高了有源层结构的均匀性，保障了产品特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108751692A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810494083.2
申请日：2018-05-22
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 江艺
CPC classification number: C03B35/14 , C03B25/08 , C03B2225/02
Abstract: 本发明提供了一种固定载台及其操作方法，用于在连续性退火工艺中承载玻璃基板，固定载台包括：承载模块、固定围护模块、操作模块；所述承载模块包括承载板；所述固定围护模块包括设置在承载板四周的侧壁和设置在侧壁的上方用于覆盖侧壁的盖板，承载板、侧壁和盖板形成封闭腔体。本发明通过在固定载台上增设侧壁和盖板以确保在玻璃基板在连续式退火工艺中的位置不发生偏移，通过盖板、侧壁和承载板形成的密闭空间以防止玻璃基板在工艺中受到环境微粒的污染，确保玻璃基板所处环境温度的均一性，进而在提升产品品质的同时提高了产品的生产效率。
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公开(公告)号：CN108751692B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810494083.2
申请日：2018-05-22
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 江艺
Abstract: 本发明提供了一种固定载台及其操作方法，用于在连续性退火工艺中承载玻璃基板，固定载台包括：承载模块、固定围护模块、操作模块；所述承载模块包括承载板；所述固定围护模块包括设置在承载板四周的侧壁和设置在侧壁的上方用于覆盖侧壁的盖板，承载板、侧壁和盖板形成封闭腔体。本发明通过在固定载台上增设侧壁和盖板以确保在玻璃基板在连续式退火工艺中的位置不发生偏移，通过盖板、侧壁和承载板形成的密闭空间以防止玻璃基板在工艺中受到环境微粒的污染，确保玻璃基板所处环境温度的均一性，进而在提升产品品质的同时提高了产品的生产效率。
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公开(公告)号：CN111725297A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010514110.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 江艺
Abstract: 本发明提供一种有源层结构及其制作方法。有源层结构的厚度均匀性小于2.5％，包括第一非晶硅半导体层以及第二非晶硅半导体层。本发明通过采用化学气相沉积方法分别使用甲硅烷及氢气或者使用甲硅烷及氩气作为工作气体制作两层非晶硅半导体层，使用甲硅烷及氢气制作的第一非晶硅半导体层中心呈现出的凹状，使用甲硅烷及氩气制作的第二非晶硅半导体层中心呈现的凸状，本发明将凹状与凸状相结合形成均一的有源层结构，其膜层均匀性小于2.5％，从而提高了有源层结构的均匀性，保障了产品特性。
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公开(公告)号：CN109659316A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811466935.3
申请日：2018-12-03
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 江艺
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述低温多晶硅包括基层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极以及层间介质层。所述低温多晶硅层设于所述基层上方。所述栅极绝缘层覆于所述低温多晶硅层上。所述栅极设于所述栅极绝缘层上。所述层间介质层覆于所述栅极和所述栅极绝缘层上。所述阵列基板制备方法在沉积层间介质层前对低温多晶硅层进行氢化，在氢化后的高温环境中直接沉积层间介质层，省去了现有技术中快速热退火法活化工艺，减少了工业流程，并且节约了能源及成本。所述显示装置采用了本发明的所述阵列基板，其具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低耗能等优点。
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公开(公告)号：CN109585366A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811466799.8
申请日：2018-12-03
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 江艺
Abstract: 本发明公开一种低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅。本发明可避免所述非晶硅层上因残留有空气中粒子或金属离子而使生成的多晶硅晶格产生缺陷的问题。
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