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公开(公告)号：CN119923043A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510036611.X
申请日：2025-01-09
Applicant: 武汉工程大学
IPC: H10H20/83 , H05B33/02 , H05B33/00 , H10H20/816
Abstract: 本发明提供一种基于电场调控的近红外发光模组，上述近红外发光模组中的半导体发光器件将复合电极阵列与层状纳米级别的InSe材料的二维半导体层相接触，复合电极阵列的设置有助于优化电流注入情况，使得电流能够更均匀、高效地注入层状纳米级别的InSe材料的二维半导体层中；同时，复合电极阵列在外接直流电源的作用下能够实现电控制近红外发光模组的发光效率；此外，该近红外发光模组能够实现电场调控发光波长的调谐，对于开发电控制波长可调的半导体发光器件具有非常广阔的应用前景。
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