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公开(公告)号：CN113281918B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110830296.X
申请日：2021-07-22
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器和绝缘介质层单体，所述双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于所述绝缘介质层单体顶部，第一谐振器杆和第二谐振器杆与x轴、y轴之间形成45°夹角，第一谐振器杆和第二谐振器杆由磷化硼材料制作而成，绝缘介质层单体由二氧化硅材料制作而成。其可以在可见光波段454 nm‑469 nm、473 nm‑493 nm对正入射的光波实现高偏振转换，扩大了全电介质偏振调控器的适用范围，满足了更短波长的使用需求。
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公开(公告)号：CN113281918A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110830296.X
申请日：2021-07-22
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器和绝缘介质层单体，所述双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于所述绝缘介质层单体顶部，第一谐振器杆和第二谐振器杆与x轴、y轴之间形成45°夹角，第一谐振器杆和第二谐振器杆由磷化硼材料制作而成，绝缘介质层单体由二氧化硅材料制作而成。其可以在可见光波段454 nm‑469 nm、473 nm‑493 nm对正入射的光波实现高偏振转换，扩大了全电介质偏振调控器的适用范围，满足了更短波长的使用需求。
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公开(公告)号：CN113552727A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110698472.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种近红外非对称超表面偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器、绝缘介质层单体和光栅条单体，双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于绝缘介质层单体顶部，光栅条单体固设于所述绝缘介质层单体底部，光栅条单体的狭缝沿y轴方向周期性分布，第一谐振器杆和第二谐振器杆平行设置，第一谐振器杆和第二谐振器杆与x轴、y轴之间形成45°夹角，第一谐振器杆沿厚度方向的剖面为第一直角梯形结构，第二谐振器杆沿厚度方向的剖面为第二直角梯形结构，所述第一直角梯形结构沿水平面旋转180°后可与所述第二直角梯形结构重合。该结构极大减少了传统偏振器件在可见光波段所产生的能量损失。
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公开(公告)号：CN110542942B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910777884.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种光波段非对称超材料偏振调控器，它包括从上至下依次采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微结构顶层、第一SiO2绝缘介质层、图形化的金属微结构中间层、第二SiO2绝缘介质层、图形化的金属微结构底层；本发明可以在可见光波段对正入射的光波实现非对称传输，减少因为自然光的非偏振性而在通过传统的调控光波偏振的器件如线偏振片时损失掉的大部分能量，同时因为本发明构成超材料这种亚波长结构，相对于传统的光学器件来说，可以明显降低器件厚度，同时具有体积小，易集成的优点，在可见光波段的偏振调控领域具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN111596399A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010471047.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝光波段非对称超材料偏振调控器，它的硅基层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第二金属光栅层，第二金属光栅层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第二低折射率介电材料层，第二低折射率介电材料层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备图形化的高折射率介电材料偏振转换层，图形化的高折射率介电材料偏振转换层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第一低折射率介电材料层，第一低折射率介电材料层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第一金属光栅层；本发明能解决透射率小，偏振转换率低的问题，同时该器件还能实现双向非对称传输的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113552727B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110698472.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种近红外非对称超表面偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器、绝缘介质层单体和光栅条单体，双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于绝缘介质层单体顶部，光栅条单体固设于所述绝缘介质层单体底部，光栅条单体的狭缝沿y轴方向周期性分布，第一谐振器杆和第二谐振器杆平行设置，第一谐振器杆和第二谐振器杆与x轴、y轴之间形成45°夹角，第一谐振器杆沿厚度方向的剖面为第一直角梯形结构，第二谐振器杆沿厚度方向的剖面为第二直角梯形结构，所述第一直角梯形结构沿水平面旋转180°后可与所述第二直角梯形结构重合。该结构极大减少了传统偏振器件在可见光波段所产生的能量损失。
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公开(公告)号：CN112130245A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010971399.3
申请日：2020-09-16
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明涉及一种宽带高透过非对称超材料偏振调控器，所述偏振调控器包括采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构底层、在图形化的金属微纳结构底层顶面采用电子束蒸发沉积制备的绝缘介质层、在绝缘介质层顶面采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构顶层；本发明利用超材料的结构设计制造一种非对称光波调控器。本发明具有比自然材料更加优异的偏振光非对称转换性能，本发明能减少传统光学器件的能量损失。
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公开(公告)号：CN112130245B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010971399.3
申请日：2020-09-16
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明涉及一种宽带高透过非对称超材料偏振调控器，所述偏振调控器包括采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构底层、在图形化的金属微纳结构底层顶面采用电子束蒸发沉积制备的绝缘介质层、在绝缘介质层顶面采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构顶层；本发明利用超材料的结构设计制造一种非对称光波调控器。本发明具有比自然材料更加优异的偏振光非对称转换性能，本发明能减少传统光学器件的能量损失。
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公开(公告)号：CN111596399B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010471047.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝光波段非对称超材料偏振调控器，它的硅基层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第二金属光栅层，第二金属光栅层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第二低折射率介电材料层，第二低折射率介电材料层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备图形化的高折射率介电材料偏振转换层，图形化的高折射率介电材料偏振转换层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第一低折射率介电材料层，第一低折射率介电材料层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第一金属光栅层；本发明能解决透射率小，偏振转换率低的问题，同时该器件还能实现双向非对称传输的功能。
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公开(公告)号：CN110542942A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910777884.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种光波段非对称超材料偏振调控器，它包括从上至下依次采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微结构顶层、第一SiO2绝缘介质层、图形化的金属微结构中间层、第二SiO2绝缘介质层、图形化的金属微结构底层；本发明可以在可见光波段对正入射的光波实现非对称传输，减少因为自然光的非偏振性而在通过传统的调控光波偏振的器件如线偏振片时损失掉的大部分能量，同时因为本发明构成超材料这种亚波长结构，相对于传统的光学器件来说，可以明显降低器件厚度，同时具有体积小，易集成的优点，在可见光波段的偏振调控领域具有应用潜力。
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