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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119663274A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411906969.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高熵合金涂层及其制备方法及应用，包括Fe、Co、Cr、Ni、Al、Y、Hf的摩尔比为18:18:18:36:9:0.5:0.5。本发明采用上述的一种高熵合金涂层及其制备方法及应用，有助于提升涂层的整体力学性能和热稳定性。
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公开(公告)号：CN119380841A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411479729.1
申请日：2024-10-22
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于第一性原理预测氯离子在钢中异质界面上吸附倾向的计算方法，计算异质界面的错配度，对两相表面进行表面能收敛性测试；计算不同接合方式的异质界面模型的粘附功与界面能；对异质界面模型进行界面间距的收敛性测试；选取两相表面吸附能最低的吸附位置作为异质界面上的潜在吸附位置；判断氯离子在异质界面上的吸附倾向。本发明采用上述的一种基于第一性原理预测氯离子在钢中异质界面上吸附倾向的计算方法，通过模拟氯离子在异质界面处的吸附行为，可以更深入地理解这些微观结构如何影响局部腐蚀的起始和发展。
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公开(公告)号：CN103042222B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310033505.3
申请日：2013-01-29
Applicant: 武汉科技大学
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明涉及一种基于静电喷射的细晶粉末制备装置。其技术方案是：空心支杆(6)的下端通过变径密封接头(11)与石英坩埚(12)的上端联接，空心支杆(6)的上端穿过升降孔通过法兰(3)与升降机构(1)联接。在耐高温保护层(21)的内壁均匀地固定有4~8根发热体(22)，靠近炉体(8)下部的中心处装有水冷接收铜板(15)，水冷接收铜板(15)的正上方设置有感应加热线圈(13)。空心支杆(6)内设有刚玉绝缘保护管(5)，导电电极(2)的一端通过导线外接直流高压电源(25)正极，另一端从刚玉绝缘保护管(5)中穿出与石英坩埚(12)的底部接触；本发明具有投资少、效率高、操作简单和快速凝固的特点，能方便控制粉末形貌和显微结构，所制备的粉末粒径分布窄、晶粒细小和纯净度高。
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公开(公告)号：CN103042222A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310033505.3
申请日：2013-01-29
Applicant: 武汉科技大学
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明涉及一种基于静电喷射的细晶粉末制备装置。其技术方案是：空心支杆(6)的下端通过变径密封接头(11)与石英坩埚(12)的上端联接，空心支杆(6)的上端穿过升降孔通过法兰(3)与升降机构(1)联接。在耐高温保护层(21)的内壁均匀地固定有4~8根发热体(22)，靠近炉体(8)下部的中心处装有水冷接收铜板(15)，水冷接收铜板(15)的正上方设置有感应加热线圈(13)。空心支杆(6)内设有刚玉绝缘保护管(5)，导电电极(2)的一端通过导线外接直流高压电源(25)正极，另一端从刚玉绝缘保护管(5)中穿出与石英坩埚(12)的底部接触；本发明具有投资少、效率高、操作简单和快速凝固的特点，能方便控制粉末形貌和显微结构，所制备的粉末粒径分布窄、晶粒细小和纯净度高。
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公开(公告)号：CN203044900U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201320048238.2
申请日：2013-01-29
Applicant: 武汉科技大学
IPC: B22F9/08
Abstract: 本实用新型涉及一种非晶/纳米晶金属粉末的制备装置。其技术方案是：空心支杆(6)的下端通过变径密封接头(11)与石英坩埚(12)的上端联接，空心支杆(6)的上端穿过升降孔通过法兰(3)与升降机构(1)联接。在耐高温保护层(21)的内壁均匀地固定有4~8根发热体(22)，靠近炉体(8)下部的中心处装有水冷接收铜板(15)，水冷接收铜板(15)的正上方设置有感应加热线圈(13)。空心支杆(6)内设有刚玉绝缘保护管(5)，导电电极(2)的一端通过导线外接直流高压电源(25)正极，另一端从刚玉绝缘保护管(5)中穿出与石英坩埚(12)的底部接触；本实用新型具有投资少、效率高、操作简单和快速凝固的特点，能方便控制粉末形貌和显微结构，所制备的粉末粒径分布窄、晶粒细小和纯净度高。
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