公开(公告)号：CN104986803B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510351841.1

申请日：2015-06-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  杨美芳 ,  乔雪 ,  张会珍 ,  葛泽柯 ,  申锐

IPC: C01G41/00

Abstract: 本发明提出一种AgBi(WO4)2的简便制备方法，属于无机材料合成领域。半导体材料由于在环境净化、太阳能以及光制氢中的广泛应用得到了人们的密切关注。AgBi(WO4)2作为一种半导体材料，与其它半导体复合后，可以获得高效的可见光催化性能。然而，有关AgBi(WO4)2纯物质的制备方法非常欠缺，传统方法需要高温煅烧十几个小时以上，耗能大、耗时长。因此，开发更加温和简便的制备方法，对于获得AgBi(WO4)2纯物质、拓展其应用是重要的。本发明提出的AgBi(WO4)2纯物质的简便制备方法，制备条件温和、过程简便，产品纯度高，为拓展该类物质的应用提供了坚实的基础。

公开(公告)号：CN104986803A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510351841.1

申请日：2015-06-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  杨美芳 ,  乔雪 ,  张会珍 ,  葛泽柯 ,  申锐

IPC: C01G41/00

Abstract: 本发明提出一种AgBi(WO4)2的简便制备方法，属于无机材料合成领域。半导体材料由于在环境净化、太阳能以及光制氢中的广泛应用得到了人们的密切关注。AgBi(WO4)2作为一种半导体材料，与其它半导体复合后，可以获得高效的可见光催化性能。然而，有关AgBi(WO4)2纯物质的制备方法非常欠缺，传统方法需要高温煅烧十几个小时以上，耗能大、耗时长。因此，开发更加温和简便的制备方法，对于获得AgBi(WO4)2纯物质、拓展其应用是重要的。本发明提出的AgBi(WO4)2纯物质的简便制备方法，制备条件温和、过程简便，产品纯度高，为拓展该类物质的应用提供了坚实的基础。