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公开(公告)号：CN119776839A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411977078.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 江苏海洋大学
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光术领域，具体公开了采用无磨料的铜CMP抛光液控制表面凹凸速率差的方法，旨在实现无磨料化学机械抛光，从而解决抛光过程中磨料作用造成的表面划伤问题，适用于包含铜金属层的基底抛光液。本发明中抛光液包含分子量为300‑500g/mol的大分子螯合剂，其中分子量为400g/mol为优。利用大分子螯合剂配置的弱碱性铜抛光液在无磨料无缓蚀剂条件下，具有凹处去除速率低而凸处通过强化学反应获得高抛光速率，以此产生凹凸处高速率差从而实现平坦化。本发明在弱碱性无磨料无缓蚀剂条件下，抛光液对铜表面高低差具有较高修正能力，解决了传统方法造成的抛光压力高、表面划伤多、难清洗的问题。
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公开(公告)号：CN118724052B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202410777062.7
申请日：2024-06-17
Applicant: 江苏海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米材料的水相制备方法，包括下述步骤；S1、混合；称取0.1～1mmol的三氟乙酸铯和0.2‑0.6mmol的PbBr2粉末混合于10mL的N，N‑二甲基乙酰胺中；S2、获取第一溶液；将上述混合溶液加热，直至粉末完全溶解，得到第一溶液；S3、获取第二溶液；取0.2mmol的4‑溴丁酸和0.2mmol的油胺快速注入第一溶液中，加热并保持温度，得到第二溶液；S4、获取第三溶液；取8‑30mL去离子水放入瓶中，加热并保持温度，得到第三溶液；S5、获取钙钛矿纳米基底液；取0.6‑6mL第二溶液，快速注射到第三溶液中，得到钙钛矿纳米基底液；S6、制作成品。本申请在水溶液中一步法直接合成CsPb2Br5钙钛矿纳米片，其在水溶液中分散性好，形貌规则，合成效率高，在常温下能保存较长时间。
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公开(公告)号：CN119776838A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411976476.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 江苏海洋大学
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光术领域，具体公开了用于集成电路铜布线的无磨料碱性铜精抛液及其制备方法，本发明的精抛液包含分子量为1000‑10000g/mol的大分子螯合剂；利用大分子螯合剂配置的弱碱性无磨料铜精抛液在低压力无缓蚀剂和无磨料的条件下，具有较好的碟形坑修正作用，大分子螯合剂可增强抛光液化学作用，减少磨料和腐蚀缓蚀剂用量；抛光液中无磨料粒子，彻底解决了磨料在抛光液中不稳定，易发生团聚，造成表面造成颗粒污染、管道堵塞、表面划伤等问题。
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公开(公告)号：CN118724052A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410777062.7
申请日：2024-06-17
Applicant: 江苏海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米材料的水相制备方法，包括下述步骤；S1、混合；称取0.1～1mmol的三氟乙酸铯和0.2‑0.6mmol的PbBr2粉末混合于10mL的N，N‑二甲基乙酰胺中；S2、获取第一溶液；将上述混合溶液加热，直至粉末完全溶解，得到第一溶液；S3、获取第二溶液；取0.2mmol的4‑溴丁酸和0.2mmol的油胺快速注入第一溶液中，加热并保持温度，得到第二溶液；S4、获取第三溶液；取8‑30mL去离子水放入瓶中，加热并保持温度，得到第三溶液；S5、获取钙钛矿纳米基底液；取0.6‑6mL第二溶液，快速注射到第三溶液中，得到钙钛矿纳米基底液；S6、制作成品。本申请在水溶液中一步法直接合成CsPb2Br5钙钛矿纳米片，其在水溶液中分散性好，形貌规则，合成效率高，在常温下能保存较长时间。
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