-
公开(公告)号：CN117410167A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311471682.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Topcon电池返工片清洗的工艺方法，涉及太阳能电池片技术领域，包括以下步骤，S1：从Topcon电池片中筛选出返工片，将含有HF、HCL和水的混合液对返工片进行清洗，清除返工片上的双氮化硅层和氧化铝层，再通过第一水洗获得第一清洗片；S2：将含有NaOH、研磨剂和水的混合液对第一清洗片进行清洗，清除第一清洗片上的多晶硅层，再通过第二水洗获得第二清洗片；S3：将含有NaOH、双氧水和水的混合液对第二清洗片进行清洗，清除第二清洗片上残留的脏污，再经第三水洗获得第三清洗片；S4：将含有HF、HCL和水的混合液对第三清洗片进行清洗，去除氧化硅层和金属杂质，再经第四水洗获得第四清洗片，之后对第四清洗片进行烘干；采用上述步骤清洗效果好。
-
公开(公告)号：CN115347077A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210925786.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/306
Abstract: 本发明属于PERC电池的技术领域，具体涉及一种提高PERC电池电流及开压的工艺方法。通过依次对电池片进行预清洗、水洗、碱抛、水洗、O3+HF清洗、水洗、酸洗、水洗、慢提拉和烘干，其中，O3+HF清洗为将电池片浸泡在臭氧和氢氟酸的混合溶液中。本发明采用O3+HF清洗工艺可以弥补前道工序中的绒面缺陷，从而可以提高电池片的电流与开压，最终达到提高电池片光电转换效率的作用。
-
公开(公告)号：CN113013276B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110219854.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，所示异质结太阳能电池包括：电池本体；所述电池本体包括n型硅片；所述n型硅片的受光面依次设置有第一本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层；所述p型掺杂非晶硅层的外侧设置有受光面p‑TCF层。本发明提供的异质结太阳能电池，通过以受光面p‑TCF层2替代传统的n型TCO薄膜，提高受光面一侧的透明导电薄膜与p型掺杂非晶硅层13的功函数匹配度，进而提高异质结太阳能电池的性能。
-
公开(公告)号：CN112054093A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010892150.3
申请日：2020-08-31
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种改善PERC电池背面接触的方法，包括如下步骤：按顺序进行激光开膜，印刷掺硅硼浆料、烘干、印刷背面银浆、烘干、印刷背面铝浆、烘干、印刷正面银浆、烧结、电性能测试。本工艺为通过掺杂硼硅浆料改善提升背面电极的接触特性，在背电极接触区域局部重掺杂，单独对接触区域进行改善，提升电池效率的同时避免铝浆料可靠性的异常。
-
公开(公告)号：CN119789586A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411867320.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种背接触太阳能电池的制备方法、一种背接触太阳能电池。制备方法中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积(HDPCVD或ICPCVD)形成电池的电子选择性硅薄膜。通过本公开所述的制备方法，能够弥补电能损耗大和粒子轰击损伤等缺陷、从而提高非晶硅薄膜的光学性能及电子传输性能，进而提高电池能量的转换效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115020263A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210598565.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及电池背铝金属区反向饱和电流密度J0的测试方法，包括如下步骤：(1)电池基片样品背表面激光开槽、印刷铝线、烧结后形成主栅区、副栅区、非印刷区；(2)PL成像仪对电池基片样品拍摄得到PL成像图；(3)利用图像处理软件在PL成像图上同时自动读取多处坐标点的光亮度值，坐标点自动读取的位置为围绕非印刷区的四周位置及中心位置；对应主栅区、副栅区、非印刷区的光亮度值分别记为PB、PF、PN；将PB与PF分别除以PN，作比值计算光亮度百分比分别记为RB、RF；(4)电池结构设计模拟软件进行数据模拟获得光亮度百分比与J0的关系曲线；将RB与RF数值代入到关系曲线中即可得到主栅区J0与副栅区J0。
-
公开(公告)号：CN113013294A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110220836.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0747
Abstract: 本发明公开了一种基于多次印刷的HJT异质结电池及其制备方法：S1、对N型硅片制绒清洗；S2、在N型硅片的受光面和背光面上沉积本征非晶硅层；S3、在受光面和背光面的本征非晶硅层上分别制备P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层；S4、在P型掺杂非晶硅层上沉积受光面透明导电薄膜层；S5、在N型掺杂非晶硅层上沉积背光面透明导电薄膜层；S6、在背光面透明导电薄膜层上第一次印刷附着力强的浆料，第二次印刷导电性能好的浆料；S7、在受光面透明导电薄膜层上第一次印刷附着力强的浆料，第二次印刷导电性能好的浆料；S8、退火形成受光面金属栅线电极和背光面金属栅线电极，得到HJT异质结电池。本发明方法制得的异质结电池具备优异的效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN113013276A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110219854.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，所示异质结太阳能电池包括：电池本体；所述电池本体包括n型硅片；所述n型硅片的受光面依次设置有第一本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层；所述p型掺杂非晶硅层的外侧设置有受光面p‑TCF层。本发明提供的异质结太阳能电池，通过以受光面p‑TCF层2替代传统的n型TCO薄膜，提高受光面一侧的透明导电薄膜与p型掺杂非晶硅层13的功函数匹配度，进而提高异质结太阳能电池的性能。
-
公开(公告)号：CN111312863A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010273084.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种选择性发射极技术的保护工艺，其特征在于：从掺杂区域的硅片上方均匀通入臭氧，在掺杂区域上氧化生成保护层。其中通入臭氧的浓度在100-10000ppm，通入臭氧的时间为10-1000s，生成的保护层厚度为2-20nm。使用本发明选择性发射极技术的保护工艺实现对高掺杂区域的保护，使在碱抛光工艺中高掺杂区域仍维持高浓度掺杂，提高太阳能电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN111312862A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010269434.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种选择性发射极电池的对位标记方式，包括使用激光mark点和印刷mark点进行印刷对位，其特征在于，所述印刷mark点设置在印刷网版的主栅线上，所述激光mark点设置在电池硅片上对应印刷网版主栅线的位置，其中所述激光mark点和所述印刷mark点位于同一主栅线方向上。本发明将激光mark点及丝网印刷mark点均设计在主栅线区域，激光mark点设计在主栅线镂空区域，印刷mark点设计在主栅线实心区域，两种mark点位置设计无需重叠，制备光伏组件时焊带会将两种mark点均覆盖住，能完全避免由mark点引起的外观异常，而且印刷mark点设计在主栅线实心区域，印刷时表现为镂空区域，与常规方式相比减少了mark点印刷量，增加了mark点面积的光吸收利用，进而提高电池的转化效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.037 seconds)
