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公开(公告)号：CN118721462A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411122763.3
申请日：2024-08-15
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体加工晶圆分切装置，属于半导体切割技术领域，包括支撑座，支撑座的上端设有调节组件和晶圆，调节组件包括立板和升降板，立板连接有驱动电机和螺纹杆，升降板连接有移动板，升降板的下方设有滑轨和滑板，升降板连接有压板，滑板连接有电动转盘，还包括：定位组件，定位组件利用空气的压缩而实现对晶圆的牢固定位；切割组件，切割组件利用切割过程中的晃动而实现自身杂质的清理；吸气组件，吸气组件根据压板的下移而实现定位组件内部空气的压缩。该发明有益效果：可在切割的同时根据刀片表面碎屑和杂质粘附的情况进行自适应的清理，以减少刀片左右晃动情况的发生，提高刀刃表面的光滑程度，并降低崩边现象的发生。
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公开(公告)号：CN116276406B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310579283.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，属于半导体制造加工技术领域，包括半导体晶圆和滑槽，还包括：深度检测机构，用于在抛光时对半导体晶圆的环形氧化层区域的厚度进行检测和区分，在抛光前能够对环形氧化层的区域进行定位操作。该发明，能够自动根据抛光工作的进程自动调节抛光液的喷量，同时工作过程发热时自动增加抛光液喷出量，实现对抛光过程进行自动降温，防止抛光时温度过高的热应力导致半导体晶圆表面疲劳破损层厚度增大，避免出现热应力损伤，同时能够避免抛光工作温度过高导致的抛光液中酸性物质在高温下分解导致的抛光液变质，有效保证了抛光工作的高效稳定进行。
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公开(公告)号：CN116460057A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310564839.7
申请日：2023-05-19
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片厚度检测装置，属于半导体晶片厚度检测技术领域包括机架，所述机架的两端固定安装有带轮，两个所述带轮之间传动安装有皮带；定位组件与待测样品，所述定位组件设置在皮带的内腔；检测组件，所述检测组件固定安装在皮带的上方；分选组件，所述分选组件设置在机架的内腔中部。该发明通过定位组件的设置，能够对待测样品进行夹持，保证了对其输送时的安全同时提升了检测组件对其检测的精度，在检测组件与分选组件等的配合下，能够实现对待测样品的厚度进行检测，同时对合格与不合格的待测样品进行筛选，自动的对不合格的待测样品进行剔除，使本装置较为自动化，大大提高工厂对待测样品检测的效率。
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公开(公告)号：CN116276406A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310579283.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，属于半导体制造加工技术领域，包括半导体晶圆和滑槽，还包括：深度检测机构，用于在抛光时对半导体晶圆的环形氧化层区域的厚度进行检测和区分，在抛光前可以对环形氧化层的区域进行定位操作。该发明，可以自动根据抛光工作的进程自动调节抛光液的喷量，同时工作过程发热时自动增加抛光液喷出量，实现对抛光过程进行自动降温，防止抛光时温度过高的热应力导致半导体晶圆表面疲劳破损层厚度增大，避免出现热应力损伤，同时可以避免抛光工作温度过高导致的抛光液中酸性物质在高温下分解导致的抛光液变质，有效保证了抛光工作的高效稳定进行。
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公开(公告)号：CN119057601A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411570290.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶圆研磨设备，属于晶圆研磨技术领域，包括加工台，加工台的上方设有挡水组件和承托组件，加工台固定连接有升降组件，升降组件连接有水箱，挡水组件包括挡水罩，承托组件包括承托盘，承托盘内部设有晶圆片，承托盘下方设有圆筒和电动转盘，加工台的上方设有电机二和转轴，还包括：冲击组件，冲击组件通过对液体的加压而保证对晶圆片研磨时的冷却效果；研磨组件，研磨组件利用电机二的转动来提高对晶圆片的研磨质量。该发明有益效果：通过振动减弱晶圆内部的机械应力来提升晶圆质量与性能，同时研磨盘通过离心力和水流冲击力的双重作用下来提高清洗效果，并保证冷却均匀，避免热量的堆积，减少对晶圆的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118371302A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410808362.7
申请日：2024-06-21
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体微硅粉的研磨制备装置，属于微硅粉加工技术领域,包括装置主体和设置于装置主体内侧顶部的驱动电机，还包括：研磨机构，用于对进入的原料进行细化破碎和研磨，同时通过设置于装置主体内部的研磨球和破碎辊，可以对原材料进行分级处理，可以通过破碎辊首先对上方粗料进行预磨碎，在重力作用下磨碎的物料下落，并通过研磨球进行进一步研磨处理。该发明，通过固定研磨盘和旋转研磨盘间隙对物料进行筛选，预破碎处理后的物料通过固定研磨盘和旋转研磨盘间隙的过滤进入研磨球和破碎槽区域进行进一步研磨，实现了对物料的分级加工处理，提升了物料研磨加工的效率。
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公开(公告)号：CN117960347A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410362772.3
申请日：2024-03-28
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅半导体的研磨进料系统，属于碳化硅半导体加工设备技术领域，包括研磨箱，所述研磨箱的侧壁上固定安装有活塞筒；进料斗，所述进料斗固定安装在研磨箱的上端面，进料斗用于供碳化硅颗粒的进入；出料斗，所述出料斗固定安装在研磨箱的下端面，出料斗用于供碳化硅粉末的流出；研磨组件，所述研磨组件设置在研磨箱的内腔中部；疏通组件，所述疏通组件设置在活塞筒的内腔；供料组件，所述供料组件设置在出料斗的内腔。该发明通过研磨组件等的配合，实现了对碳化硅颗粒进行碾碎的功能，通过疏通组件与供料组件等的配合，实现了对碾碎后的碳化硅粉末筛分及供给的功能，大大提升了制造半导体的效率与质量。
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公开(公告)号：CN119644091B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510168557.4
申请日：2025-02-17
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及二极管检测技术领域，尤其涉及一种车规级二极管检测方法，包括：获取二极管各视图的若干图像信息，以构建二极管的空间模型，基于空间模型的整体拟合度确定二极管封装的空间形态的合格性，以及基于引脚的直线重合度确定二极管封装的合格性；基于封装合格的二极管利用万用表进行初步检测，在通路合格的条件下基于二极管的伏安特性曲线确定最小动态电阻以对二极管的性能进行初步分级；基于初步分级结果匹配检测电压，并在检测过程中实时监测二极管的温度以建立温度波动曲线，基于温度波动曲线确定温度的最大变化率以及变化范围，以确定是否调节所述波动评价值以重新确定二极管的性能分级。本发明提高了二极管的性能检测效率。
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公开(公告)号：CN119419145A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510013060.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及封装二极管技术领域，特别是指基于晶圆级封装的二极管制备工艺，该制备工艺包括：基于在目标晶圆上形成初始凸点，进行一次形成质量检测，根据一次沉积检测结果确定是否开启回流焊模式，并基于开启回流焊模式，根据一次沉积检测结果确定实际回流参数；根据实际回流参数加热目标晶圆，以形成目标凸点；在回流加热过程中，对目标晶圆进行实时监测，根据回流监测参数集合确定回流加热过程的各阶段时间节点；基于回流加热过程结束，对目标晶圆进行封装、切割，在切割过程中对获取的各二极管晶圆粒进行电性测试，并对电性测试不合格的二极管晶圆粒进行标记以获得电性标记结果，并根据所述电性标记结果确定实际异常原因。
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公开(公告)号：CN119153381A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411263454.8
申请日：2024-09-10
Applicant: 江苏爱矽半导体科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , B01D53/26 , B01D53/28
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶圆片加工翻转机构，属于半导体晶圆技术领域，该发明包括翻转电机、支撑板、定位板和晶圆，所述支撑板上对称设置有多个非接触式吸盘，还包括：匀流支撑组件，干燥组件，感应组件；通过结合动态平衡与顶盖支撑，构建了稳定翻转环境，提高了晶圆翻转精度与效率，降低了受损风险，同时，弹性垫圈隔离湿气，保障非接触式吸盘区域干燥，增强吸附稳定性；气体通过挡板与顶盖之间的间隙进入进气槽，并推动扇轮的转动，扇轮的转动有助于均匀化气流，并将湿气引导至干燥模块除湿，减少晶圆污染，提升吸附可靠性；感应器实时监测湿度，预警水珠积聚，便于更换干燥模块，确保系统持续稳定运行。
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