公开(公告)号：CN116073346A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202111301081.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 河南许继仪表有限公司 ,  国网重庆市电力公司计量中心 ,  许继集团有限公司

Inventor： 郭权 ,  孙超亮 ,  刘型志 ,  黄亚娟 ,  郑可 ,  马媛媛 ,  都正周 ,  纪建设 ,  钱波 ,  孙应军 ,  李想

IPC: H02H9/00 ,  H02H9/04 ,  G01R1/36

Abstract: 本发明涉及一种适用于电能表的抗浪涌高压钳位保护电路，该高压钳位保护电路用于电能表的输入过压钳位保护，包括第一电阻网络、第二电阻网络和高压钳位保护芯片；第一电阻网络连接于该保护电路的输入电压正极和输出电压正极之间；第二电阻网络连接于该保护电路的输入电压负极和输出电压负极之间；第一电阻网络、第二电阻网络和高压钳位保护芯片依次相互连接；高压钳位保护芯片包括内置MOS管，在所述内置MOS管的源极和漏极之间设置浪涌保护单元。通过在电路中设置浪涌保护单元，解决了在不带电情况下，采用专用高压钳位保护芯片设计的保护电路无法满足产品要求的雷击浪涌试验的问题，弥补现有技术的不足，有效提高电路可靠性。

公开(公告)号：CN112436827A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011269876.8

申请日：2020-11-13

Applicant: 河南许继仪表有限公司 ,  国网重庆市电力公司计量中心

Inventor： 刘辉 ,  刘型志 ,  郑可 ,  周亚楠 ,  吴莉莉 ,  李龙龙 ,  连新凯 ,  刘晓辉

IPC: H03K17/08

Abstract: 本发明涉及一种控制信号互斥的内置负荷开关控制电路以及控制方法，通过将输入控制信号以互斥方式连接，从硬件上直接避免了拉闸控制信号和合闸控制信号同时为高电平时导致光耦同时导通，从而导致电能表损坏的情况发生，同时减少了软件设计的复杂性。

公开(公告)号：CN113792513B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202111108635.X

申请日：2021-09-22

Applicant: 许继集团有限公司 ,  国网重庆市电力公司计量中心

Inventor： 谭赣江 ,  钱波 ,  刘型志 ,  郑可 ,  刘辉 ,  徐晓飞

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/394

Abstract: 本发明提出了一种基于碳化硅MOSFET电源管理芯片设计方法，解决了二次设备硅基电源器件的高压易击穿、高温特性差、导通电阻大、损耗高的技术问题。本发明的步骤为：首先，设计具有高dv/dt抑制能力的碳化硅MOSFET驱动电路，并通过开关电路验证驱动电路的性能；其次，设计基于碳化硅MOSFET PWM环路控制电路，其中，PWM环路控制电路包括带隙基准电路、误差放大器和过温保护电路；最后，采用外置MOSFET功率器件的方式对电源管理芯片进行了测试，通过测试验证了电源管理芯片在开关电源工作环境下达到了设计的参数定义要求，且环路工作稳定。本发明有效降低了智能电网运行成本和维护成本，为建设坚强智能电网提供基础支撑。

公开(公告)号：CN113792513A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111108635.X

申请日：2021-09-22

Applicant: 许继集团有限公司 ,  国网重庆市电力公司计量中心

Inventor： 谭赣江 ,  钱波 ,  刘型志 ,  郑可 ,  刘辉 ,  徐晓飞

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/394

Abstract: 本发明提出了一种基于碳化硅MOSFET电源管理芯片设计方法，解决了二次设备硅基电源器件的高压易击穿、高温特性差、导通电阻大、损耗高的技术问题。本发明的步骤为：首先，设计具有高dv/dt抑制能力的碳化硅MOSFET驱动电路，并通过开关电路验证驱动电路的性能；其次，设计基于碳化硅MOSFET PWM环路控制电路，其中，PWM环路控制电路包括带隙基准电路、误差放大器和过温保护电路；最后，采用外置MOSFET功率器件的方式对电源管理芯片进行了测试，通过测试验证了电源管理芯片在开关电源工作环境下达到了设计的参数定义要求，且环路工作稳定。本发明有效降低了智能电网运行成本和维护成本，为建设坚强智能电网提供基础支撑。