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公开(公告)号：CN111931455A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010619041.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，通过模拟中子入射产生次级离子的过程，得到次级离子的线性能量转移LET值的概率分布，并通过TCAD仿真得到触发器的关键线性能量转移值LEDcrit，随后对LET分布求得线性能量转移概率密度分布函数fD(LET)，并进一步求线性能量转移累计概率密度分布函数fC(LET)，最后可通过fC(LET)与触发器敏感面积的乘积得到触发器的软错误率SERDFF。本发明在触发器电路仿真阶段即可快速评估其软错误率的新方法，相较于制造出实际电路并实验得出软错误率结果，节约了时间和经济资源。
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