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公开(公告)号:CN106803715A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710153310.0
申请日:2017-03-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/16 , H03K17/689
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/08 , H02M1/44 , H02M2001/0054 , H03K17/161 , H03K17/689
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路,包括隔离模块、驱动模块以及电阻模块,所述隔离模块、驱动模块以及电阻模块依次连接,所述驱动模块的正驱动电压为18V至22V,所述驱动模块的负驱动电压为‑2.5V至‑4.5V;能够提高碳化硅MOSFET的开关速度,减小开关损耗,进而提开关电源工作的开关频率;同时防止了寄生参数引起的碳化硅MOSFET误动作,提高了碳化硅MOSFET工作的可靠性。