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公开(公告)号：CN108781079A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680083387.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 派赛公司
IPC: H03K17/693 , H04B1/04 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/62 , H03K17/76 , H03K2017/066 , H04B1/0458 , H04B1/48 , H04B2001/485
Abstract: 一种基于高掷数多极FET的RF开关架构，其在插入损耗、返回损耗、隔离、线性度和功率处理方面提供了良好的RF性能。公共端口RFC沿公共路径耦接到多个端口RFn。实施方式引入了由状态相关逻辑控制的另外的公共RF路径分支隔离开关。分支隔离开关帮助将未使用的分支端口RFn和公共路径的未使用部分与公共路径的起作用的部分相隔离，并由此降低了可归因于这样的分支的电抗性负载，该电抗性负载使“较靠近”公共端口RFC的端口RFn的RF性能降级。还可以使用分支隔离开关来针对多路复用功能而重新配置开关架构以及出于可重新配置性目的、调谐或改变开关掷数和封装选项而重新配置单独的开关路径组。
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公开(公告)号：CN117296250A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034347.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 派赛公司
Inventor： 埃里克·S·夏皮罗 , 拉文德拉纳特·D·什里瓦斯塔瓦 , 弗莱明·拉姆 , 马特·阿莉森
IPC: H03K17/693
Abstract: 一种FET开关堆叠和操作FET开关堆叠的方法。FET开关堆叠包括跨相应公共体电阻器连接的体旁路FET开关的堆叠布置。体旁路FET开关在FET开关堆叠的关断稳定状态期间旁路相应公共体电阻器，并且在导通稳定状态期间不旁路相应公共体电阻器。
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公开(公告)号：CN109716648B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780056627.0
申请日：2017-07-26
Applicant: 派赛公司
Inventor： 乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
Abstract: 用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
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公开(公告)号：CN116134731A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180062403.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 派赛公司
IPC: H03K17/693
Abstract: 公开了减少RF开关堆叠中的栅极感应漏极泄漏电流的方法和设备。描述的设备利用多个放电路径和/或负得少的体偏置电压，而不损害功率开关的非线性性能和功率处理能力。此外，具有较小空间量的更紧凑的偏置电压产生电路可以被实现为所公开的设备的一部分。
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公开(公告)号：CN107787555B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201680034612.X
申请日：2016-05-13
Applicant: 派赛公司
Abstract: 一种电子系统，包括：数字可选择的移相器电路和插入损耗微调电路，使得整个系统在改变相位状态时在插入损耗上表现出很小的变化或没有变化；以及/或者数字可选择的衰减器电路和相位微调电路，使得当改变衰减状态时，整个系统对相位的影响很小或没有影响。包括用于针对这样的电路选择调节控制字的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117795854A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055401.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 派赛公司
Inventor： 阿尔佩尔·根茨 , 弗莱明·拉姆 , 埃里克·S·夏皮罗 , 拉文德拉纳特·什里瓦斯塔瓦
IPC: H03K17/16
Abstract: 一种用于FET开关的堆叠布置的公共栅极电阻器旁路布置，该布置包括跨公共栅极电阻器的nMOS晶体管和pMOS晶体管的串联组合。在FET开关的堆叠布置的转变状态的至少转变部分期间，nMOS晶体管和pMOS晶体管都处于导通状态并且旁路公共栅极电阻器。另一方面，在FET开关的堆叠布置的导通稳定状态和关断稳定状态的至少稳定状态部分期间，nMOS晶体管和pMOS晶体管中的一个晶体管处于关断状态，并且nMOS晶体管和pMOS晶体管中的另一个晶体管处于导通状态，因此不旁路公共栅极电阻器。
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公开(公告)号：CN116707464A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310610411.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 派赛公司
Inventor： 乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
Abstract: 本公开涉及共源共栅放大器偏置电路。用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
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公开(公告)号：CN108781079B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201680083387.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 派赛公司
IPC: H03K17/693 , H04B1/04 , H04B1/48
Abstract: 一种基于高掷数多极FET的RF开关架构，其在插入损耗、返回损耗、隔离、线性度和功率处理方面提供了良好的RF性能。公共端口RFC沿公共路径耦接到多个端口RFn。实施方式引入了由状态相关逻辑控制的另外的公共RF路径分支隔离开关。分支隔离开关帮助将未使用的分支端口RFn和公共路径的未使用部分与公共路径的起作用的部分相隔离，并由此降低了可归因于这样的分支的电抗性负载，该电抗性负载使“较靠近”公共端口RFC的端口RFn的RF性能降级。还可以使用分支隔离开关来针对多路复用功能而重新配置开关架构以及出于可重新配置性目的、调谐或改变开关掷数和封装选项而重新配置单独的开关路径组。
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公开(公告)号：CN113810034A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110662394.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 派赛公司
Inventor： 埃里克·S·夏皮罗 , 西蒙·爱德华·威拉德
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及具有电荷控制元件的RF开关堆叠。公开了解决关断状态下跨开关堆叠的不期望DC电压分布的方法和设备。所公开的设备包括电荷控制元件，该电荷控制元件对RF信号进行采样以在开关堆叠偏置电路的特定点处生成叠加电压。所提供的电压通过供应由堆叠晶体管的漏极/源极端子汲取的电流以及/或者通过吸收离开这样的晶体管的体端子的体泄漏电流，来帮助减少堆叠内的晶体管的漏极/源极/体端子上的下降电压。还公开了教导如何在偏置电路中提供合适的分接点以对RF信号进行采样的方法和技术。
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公开(公告)号：CN109716648A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056627.0
申请日：2017-07-26
Applicant: 派赛公司
Inventor： 乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
CPC classification number: H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/105 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/78
Abstract: 用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
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