公开(公告)号：CN118119262A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410045559.X

申请日：2024-01-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  李春刚 ,  刘通 ,  李成龙 ,  司景翔 ,  师庆宇 ,  林秀娟 ,  黄世峰

IPC: H10N30/078 ,  H10N30/04 ,  H10N30/853 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请公开一种6英寸铁酸铋基梯度薄膜和MEMS芯片的制备方法，涉及功能薄膜材料及微加工工艺器件技术领域，得到的6英寸的大面积薄膜的制备工艺为：配置不同Gd掺杂浓度的BGFO溶胶；将制得的BGFO溶胶，依次旋涂在SOI晶圆衬底上，得到BGFO薄膜；Gd掺杂浓度沿厚度方向等比例递增；将制得的BGFO薄膜放入快速退火炉或热台中进行干燥，在快速退火炉热解和退火，经过层层退火制得所述铁酸铋基薄膜。本发明薄膜结构致密，表面起伏较小，具有良好的压电铁电性能，并且未加电场极化就具有特定的自极化方向。同时提供了MEMS芯片的制备工艺。本发明的MEMS芯片在微型化电子元器件应用方面具有很大的潜力。