公开(公告)号：CN102267716A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110152509.4

申请日：2011-06-09

Applicant: 济南大学

Inventor： 曹丙强 ,  胡夕伦 ,  郑少华

IPC: C01G9/02 ,  C01G23/053 ,  C01G3/02 ,  B01J13/02 ,  C10M125/10

Abstract: 本发明公开了一种具有减磨效果的氧化物微球的激光液相退火制备方法，属于微纳米材料的制备与激光技术应用领域。其工艺步骤如下：将氧化物半导体粉末分散在液相介质中，通过激光束经聚焦透镜直接作用于氧化物半导体粉末，使粉末发生烧蚀退火，从而实现微球的液相制备。本发明具有制备方法新颖、简单，生产效率高，可控性好，且所制备球形颗粒具有显著减磨性能等优点。

公开(公告)号：CN102115339A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010011602.9

申请日：2010-01-06

Applicant: 济南大学

Inventor： 曹丙强 ,  段广彬 ,  郑少华 ,  胡夕伦

IPC: C04B41/50 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线材料的高压激光烧蚀制备方法，尤其是实现了对纳米线阵列生长密度的大范围调控。通过引入氧化锌缓冲层和调节靶材与衬底之间的距离来实现氧化锌纳米线阵列生长密度的大范围调控。通过高压脉冲激光烧蚀技术，不仅实现了高密度氧化锌纳米线阵列的生长，并且利用缓冲层技术实现了低密度氧化锌纳米线的生长，进而通过调节靶材和衬底之间的距离，实现了氧化锌纳米线生长密度的大范围调控。

公开(公告)号：CN102267716B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110152509.4

申请日：2011-06-09

Applicant: 济南大学

Inventor： 曹丙强 ,  胡夕伦 ,  郑少华

IPC: C01G9/02 ,  C01G23/053 ,  C01G3/02 ,  B01J13/02 ,  C10M125/10

Abstract: 本发明公开了一种具有减磨效果的氧化物微球的激光液相退火制备方法，属于微纳米材料的制备与激光技术应用领域。其工艺步骤如下：将氧化物半导体粉末分散在液相介质中，通过激光束经聚焦透镜直接作用于氧化物半导体粉末，使粉末发生烧蚀退火，从而实现微球的液相制备。本发明具有制备方法新颖、简单，生产效率高，可控性好，且所制备球形颗粒具有显著减磨性能等优点。