公开(公告)号：CN102154636B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201010593790.0

申请日：2010-12-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  焦璐 ,  孙雯 ,  钟仿仿 ,  武卫兵 ,  杨长红

IPC: C23C20/08

Abstract: 本发明涉及微电子与光电子材料领域，特别涉及一种P型高透射率（100）-取向的LaNiO3纳米导电薄膜的制备方法。采用以下步骤：按摩尔比1:1称取硝酸镧和硝酸镍作为溶质，溶剂水：乙醇：柠檬酸：聚乙二醇摩尔比为=200：200：2：1，溶液浓度为0.08～0.20mol/L；将前驱体溶液沉积在衬底材料上烘干，热处理：氧气气氛下从350℃以10℃/分钟的速率升温到450℃，450℃预处理10min，再以15℃/分钟的速率升温到600℃，在氮气气氛下退火20分钟，退火温度为600℃～650℃。提高了LaNiO3薄膜电极的表面均匀性和极化程度，(100)取向度高，表面粗糙度小，电阻率低，透射率高。

公开(公告)号：CN102154636A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010593790.0

申请日：2010-12-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  焦璐 ,  孙雯 ,  钟仿仿 ,  武卫兵 ,  杨长红

IPC: C23C20/08

Abstract: 本发明涉及微电子与光电子材料领域，特别涉及一种p型高透射率（100）-取向的LaNiO3纳米导电薄膜的制备方法。采用以下步骤：按摩尔比1:1称取硝酸镧和硝酸镍作为溶质，溶剂水：乙醇：柠檬酸：聚乙二醇摩尔比为=200：200：2：1，溶液浓度为0.08～0.20mol/L；将前驱体溶液沉积在衬底材料上烘干，热处理：氧气气氛下从350℃以10℃/分钟的速率升温到450℃，450℃预处理10min，再以15℃/分钟的速率升温到600℃，在氮气气氛下退火20分钟，退火温度为600℃～650℃。提高了LaNiO3薄膜电极的表面均匀性和极化程度，(100)取向度高，表面粗糙度小，电阻率低，透射率高。