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公开(公告)号：CN119725250A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311269440.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体封装结构，其包括基板、至少一个半导体功率芯片以及源极功率端子，所述半导体功率芯片设置在所述基板上，所述半导体功率芯片具有源极；所述源极功率端子设置在所述半导体功率芯片的顶面，并与所述源极形成电连接，所述源极功率端子沿半导体封装结构的厚度方向延伸并垂直引出。
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公开(公告)号：CN119852272A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311348598.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L25/07 , H01L25/16 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件单元、功率半导体模块、电子设备和车辆，其中，功率半导体器件单元包括：半导体器件，所述半导体器件的上表面形成有功率端子；母排结构，所述母排结构位于所述半导体器件上，所述母排结构沿第一方向和第二方向延伸，所述母排结构对应所述功率端子具有连接端子，所述连接端子与所述功率端子连接，其中，所述第一方向和所述第二方向均垂直于功率半导体器件单元的厚度方向，所述第一方向和所述第二方向相交。本发明的功率半导体器件单元可以减小功率端子占用的平面尺寸，提高了器件单元的紧凑性和布局的自由度，从而提高了单元的集成度。
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公开(公告)号：CN119725281A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311264888.5
申请日：2023-09-27
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构、半导体模块和车辆，半导体封装结构包括：基板、至少一个功率芯片。基板包括间隔设置的漏极功率导电层、源极功率导电层和驱动导电层，源极功率导电层和驱动导电层分别设置于漏极功率导电层的两侧，功率芯片设于漏极功率导电层上，功率芯片的漏极与漏极功率导电层电连接，功率芯片的源极与源极功率导电层电连接，功率芯片的驱动极与驱动导电层电连接。由此，可以优化半导体封装结构的布局，提高功率芯片与各导电层之间连接的灵活性，可以便于功率芯片在不同的方向与不同的导电层电连接，从而可以提高半导体封装结构的散热性，以使功率芯片可持续稳定高效的工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119853427A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311348817.3
申请日：2023-10-17
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H02M1/44 , H02M7/00 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本申请公开了半桥功率单元、全桥功率单元、电子设备及车辆，涉及半导体技术领域。其中，半桥功率单元包括：交流输出极母排，交流输出极母排具有第一表面；至少一个半桥功率子单元，每个半桥功率子单元设置于交流输出极母排的第一表面侧，每个半桥功率子单元至少包括第一半导体功率器件和第二半导体功率器件；第一半导体功率器件的源极功率端子和漏极功率端子分别设置于第一半导体器件的上表面，以及第二半导体功率器件的源极功率端子和漏极功率端子分别设置于第二半导体功率器件的上表面，其中：第一半导体功率器件的源极功率端子与第二半导体功率器件的漏极功率端子共同连接于交流输出极母排的第一表面。该半桥功率单元可抑制交流输出极母排所产生的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN119853426A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311348705.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H02M1/44 , H02M1/088 , H02M1/32 , H01L23/538 , H01R13/02 , H01R13/6581
Abstract: 本发明公开了一种母排组件、功率半导体模块、电子设备和车辆，其中，母排组件用于功率半导体器件单元，功率半导体器件单元包括多个功率半导体器件和驱动板，母排组件适于设置于多个功率半导体器件和驱动板之间；母排组件包括沿所述功率半导体器件单元的厚度方向叠层设置的直流母排和交流输出极母排，所述交流输出极母排远离所述驱动板。本发明的母排组件可以降低交流输出极母排对驱动板的电磁干扰，提高了功率模块的抗干扰性能，从而确保功率模块的稳定运行。
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公开(公告)号：CN119853394A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311345905.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半桥功率单元、三相全桥功率单元、电机控制器及车辆，半桥功率单元包括至少一个半桥功率子单元；每个半桥功率子单元包括一组上桥单管和下桥单管，上桥单管和下桥单管串联；其中，上桥单管和下桥单管为源极功率端子和漏极功率端子位于同一侧表面的相同结构器件。当采用这种功率端子都集中分布在同侧的单管排布串联时，能够有效地缩短串联电路中所需使用的母排的长度，随着母排长度的减小，母排所引入的寄生电感也相应减小，这种半桥功率单元的功率控制更为平稳，电气性能更为稳定。并且，容易理解的是，相较于使用功率端子分散在两侧的单管，能缩减半桥功率单元的体积尺寸，集成度更高，可以节省安装空间。
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公开(公告)号：CN221486490U
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202322648112.5
申请日：2023-09-27
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装结构、电子设备以及车辆。该封装结构包括：多个半导体功率芯片；以及基板，多个所述半导体功率芯片设置在所述基板上，在所述基板上还设置有驱动导体，所述驱动导体适于向多个所述半导体功率芯片传输驱动信号，所述驱动导体设置于多个所述半导体功率芯片之间。
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公开(公告)号：CN221127134U
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202322787700.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 济南比亚迪半导体技术有限公司
IPC: H02M1/44 , H02M7/00 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本申请公开了一种半桥功率单元、全桥功率单元、电子设备及车辆，涉及半导体技术领域。半桥功率单元包括：交流输出极母排；至少一个半桥功率子单元，每个半桥功率子单元设置于交流输出极母排的第一表面，每个半桥功率子单元至少包括第一半导体功率器件和第二半导体功率器件；第一半导体功率器件的源极功率端子和漏极功率端子分别位于第一方向的不同侧表面；第二半导体功率器件的源极功率端子和漏极功率端子分别位于第一方向的不同侧表面；第一半导体功率器件的源极功率端子与第二半导体功率器件的漏极功率端子共同连接于交流输出极母排的第一表面侧。该半桥功率单元减小交流输出极母排所产生的电磁干扰。
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