公开(公告)号：CN106186719B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201610566916.2

申请日：2016-07-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 高超 ,  彭蠡 ,  庄寄涵 ,  俞添

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种利用高温处理制备超高导电石墨烯透明薄膜的方法，包括:在室温条件下，将石英片清洗，干燥，表面氧化处理；在室温条件下，将由低温下制备而成的超大片氧化石墨烯和碘化氢按照一定质量比配制成分散溶液，然后在60‑80℃恒温处理5‑15min；石英片在分散液中进行提拉处理，得到处理后的石英片；将装有处理后的石英片的容器放入容器中，涂上凡士林进行密封，在85℃条件下，恒温处理12‑24h后，置于高温炉中，以氢气充满环境，在1500℃高温下，处理30min，既得。本发明的制备方法简单，产量大；薄膜的透过率高，尺寸可控，分布均匀，稳定性好，并且导电性能良好。

公开(公告)号：CN106186719A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610566916.2

申请日：2016-07-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 高超 ,  彭蠡 ,  庄寄涵 ,  俞添

IPC: C03C17/22

CPC classification number: C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/32

Abstract: 本发明公开了一种利用高温处理制备超高导电石墨烯透明薄膜的方法，包括:在室温条件下，将石英片清洗，干燥，表面氧化处理；在室温条件下，将由低温下制备而成的超大片氧化石墨烯和碘化氢按照一定质量比配制成分散溶液，然后在60-80℃恒温处理5-15min；石英片在分散液中进行提拉处理，得到处理后的石英片；将装有处理后的石英片的容器放入容器中，涂上凡士林进行密封，在85℃条件下，恒温处理12-24h后，置于高温炉中，以氢气充满环境，在1500℃高温下，处理30min，既得。本发明的制备方法简单，产量大；薄膜的透过率高，尺寸可控，分布均匀，稳定性好，并且导电性能良好。

公开(公告)号：CN106277821A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610566373.4

申请日：2016-07-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 高超 ,  彭蠡 ,  庄寄涵 ,  俞添

IPC: C03C17/22

CPC classification number: C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/111

Abstract: 本发明公开了一种提拉法制备超高导电石墨烯透明薄膜的方法，包括:在室温条件下，将石英片清洗，干燥，表面氧化处理；在室温条件下，将由低温下制备而成的超大片氧化石墨烯和碘化氢按照一定质量比配制成分散溶液，然后在60-80℃恒温处理5-15min；石英片在分散液中进行提拉处理，得到处理后的石英片；将装有处理后的石英片的容器放入容器中，涂上凡士林进行密封，在85℃条件下，恒温处理12-24h，即得。本发明的制备方法简单，产量大；薄膜的透过率高，尺寸可控，分布均匀，稳定性好，并且导电性能良好。

公开(公告)号：CN106277821B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610566373.4

申请日：2016-07-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 高超 ,  彭蠡 ,  庄寄涵 ,  俞添

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种提拉法制备超高导电石墨烯透明薄膜的方法，包括:在室温条件下，将石英片清洗，干燥，表面氧化处理；在室温条件下，将由低温下制备而成的超大片氧化石墨烯和碘化氢按照一定质量比配制成分散溶液，然后在60‑80℃恒温处理5‑15min；石英片在分散液中进行提拉处理，得到处理后的石英片；将装有处理后的石英片的容器放入容器中，涂上凡士林进行密封，在85℃条件下，恒温处理12‑24h，即得。本发明的制备方法简单，产量大；薄膜的透过率高，尺寸可控，分布均匀，稳定性好，并且导电性能良好。