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公开(公告)号：CN106208913A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610625495.6
申请日：2016-07-31
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02E10/52 , H02S10/30 , H02N11/002 , H02S40/22
Abstract: 本发明公开了一种便携式光伏与温差联合发电装置，包括箱体、复合抛物面聚光器、光伏发电片、半导体温差发电片和散热翅片，所述箱体包括：安装顶板，中间区域设有多个半导体安装孔，所述半导体温差发电片安装在对应的半导体安装孔内，所述半导体温差发电片的顶面贴装光伏发电片；所述中间区域的两侧设有基本相互平行的条形安装孔；安装底板，设有与两条条形安装孔位置对应的插槽；所述复合抛物面聚光器包括两片对称布置的复合抛物面板，每片复合抛物面板包括平面的安装段和曲面的聚光段，所述安装段穿过对应的条形安装孔插入对应的插槽内；本发明实现了太阳能的多级利用且设有可拆卸式的聚光器，可以使整个装置的纵向体积大大减小，方便携带。
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公开(公告)号：CN105803531A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610227756.9
申请日：2016-04-13
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明公开了一种四元硒化物非线性光学晶体及其制备方法和用途。其化学式为ABSn2Se6，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属Rb,Cs中的一种，B为ⅢA主族金属里Ga,In中的一种，属于三方晶系，R3空间群。采用真空高温固相法制得，以碱金属氯化物、镓单质(铟单质)、锡粉、硒粉为原料，在850℃条件下反应8?12天，制备得到新颖结构的四元硒化物非线性光学晶体。本发明合成方法简单易行，原料成本低，反应条件温和。采用本方法制备的四元硒化物半导体材料，具有非线性光学信号，在非线性光学领域内如激光变频、远程传感等方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN106082327A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610455194.3
申请日：2016-06-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G28/00 , C04B22/14 , C04B28/06 , C04B111/26 , C04B103/69
CPC classification number: C01G28/002 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C04B22/14 , C04B28/06 , C04B2103/69 , C04B2111/26 , C04B14/043 , C04B14/06
Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As2S3)和硫单质为原料，聚乙二醇400和乙二胺为溶剂，在140‑160℃环境中反应6‑9天，得到四元硫化物半导体材料，化学组成式为：Cs2Ag2As2S5。本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达60％以上，化学纯度高，可用于防腐、抑菌、医疗、电池、催化等领域。
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公开(公告)号：CN105803531B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610227756.9
申请日：2016-04-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种四元硒化物非线性光学晶体及其制备方法和用途。其化学式为ABSn2Se6，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属Rb,Cs中的一种，B为ⅢA主族金属里Ga,In中的一种，属于三方晶系，R3空间群。采用真空高温固相法制得，以碱金属氯化物、镓单质(铟单质)、锡粉、硒粉为原料，在850℃条件下反应8‑12天，制备得到新颖结构的四元硒化物非线性光学晶体。本发明合成方法简单易行，原料成本低，反应条件温和。采用本方法制备的四元硒化物半导体材料，具有非线性光学信号，在非线性光学领域内如激光变频、远程传感等方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN106082327B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610455194.3
申请日：2016-06-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/032 , C04B111/26 , C04B103/69
Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As2S3)和硫单质为原料，聚乙二醇400和乙二胺为溶剂，在140‑160℃环境中反应6‑9天，得到四元硫化物半导体材料，化学组成式为：Cs2Ag2As2S5。本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达60％以上，化学纯度高，可用于防腐、抑菌、医疗、电池、催化等领域。
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