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公开(公告)号：CN100537855C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710070938.0
申请日：2007-08-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的Sb掺杂生长p型Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Mg的摩尔百分含量x为0＜x＜20%，Sb的摩尔百分含量y为0＜y＜5%。将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽真空，在压强为0.1～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为300～500℃。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节靶材中Sb的摩尔百分含量控制；由于掺杂元素来自靶材，因此可以实现高浓度掺杂；本方法制得的p型Zn1-xMgxO晶体薄膜具有良好的电学性能，载流子浓度为1015～1017cm-3。
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公开(公告)号：CN101234778A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810060102.7
申请日：2008-03-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的磷掺杂生长ZnO量子点的方法采用的是金属有机化学气相沉积法(MOCVD)。以二乙基锌(DEZn)作为锌源，高纯氮气为载气，高纯氧气和高纯五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源，磷的掺杂采用电阻丝加热P2O5粉末产生气态磷原子实现。磷掺杂浓度可以通过改变加热P2O5的温度和P2O5粉末的用量进行调节。量子点的密度与尺寸可以通过调整气源流量、衬底温度和生长时间来控制。本发明方法简单，制得的磷掺杂ZnO量子点密度与尺寸分布较均匀，具有良好的光学性能，PL谱峰位于362～374nm处，与ZnO薄膜相比具有明显的蓝移。
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公开(公告)号：CN101187061A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710070938.0
申请日：2007-08-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的Sb掺杂生长p型Zn1－xMgxO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Mg的摩尔百分含量x为0＜x＜20％，Sb的摩尔百分含量y为0＜y＜5％。将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽真空，在压强为0.1～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为300～500℃。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节靶材中Sb的摩尔百分含量控制；由于掺杂元素来自靶材，因此可以实现高浓度掺杂；本方法制得的p型Zn1－xMgxO晶体薄膜具有良好的电学性能，载流子浓度为1015～1017cm－3。
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公开(公告)号：CN100554512C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810061237.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开的一种Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由高纯ZnO和Nb2O5粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Nb的摩尔百分含量为0.1%～5%。将掺Nb的ZnO陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室抽真空，在压强为0.01～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为100～600℃。本发明方法简单，电子浓度可以通过调节靶材中Nb的摩尔百分含量控制；掺杂元素来自靶材，可以实现高浓度掺杂；制得的n型ZnO透明导电薄膜具有良好的光电性能，电阻率为10-3～10-4Ωcm，可见光区域透射率为85%以上。
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公开(公告)号：CN101245460A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810061237.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开的一种Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由高纯ZnO和Nb2O5粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Nb的摩尔百分含量为0.1％～5％。将掺Nb的ZnO陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室抽真空，在压强为0.01～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为100～600℃。本发明方法简单，电子浓度可以通过调节靶材中Nb的摩尔百分含量控制；掺杂元素来自靶材，可以实现高浓度掺杂；制得的n型ZnO透明导电薄膜具有良好的光电性能，电阻率为10－3～10－4Ωcm，可见光区域透射率为85％以上。
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