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公开(公告)号：CN117890742A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311742979.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明涉及半导体少子寿命测试技术领域，公开了一种半导体少子寿命测试装置及其测试方法。装置包括待测N型半导体、极性液体、石墨烯、激光器、探测装置以及金属电极。该装置利用石墨烯和N型半导体的费米能级差，将极性液体极化。在光源照射下，N型半导体表面电势和少子载流子浓度变化，大量少子漂移和扩散至N型半导体/极性液体表面，因此产生光极化电流。测试方法包括以下步骤：(1)测量激光器直接照射在N型半导体/极性液体/石墨烯异质结上的光极化电流；(2)测量激光器和N型半导体/极性液体/石墨烯异质结不同距离下的光极化电流；(3)将测试得出的数据按照公式进行拟合，从而得出少子寿命。
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