公开(公告)号：CN114843403B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202210492569.9

申请日：2022-05-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 赵昱达 ,  缪佳磊 ,  徐伟

IPC: H10K10/46 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用，该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键，由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布，实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂，解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性，可以兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。

公开(公告)号：CN114843403A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210492569.9

申请日：2022-05-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 赵昱达 ,  缪佳磊 ,  徐伟

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用，该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键，由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布，实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂，解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性，可以兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。