公开(公告)号：CN106206736A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610632361.7

申请日：2016-08-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陆赟豪 ,  吴琛 ,  兰珍云 ,  肖承诚 ,  徐晓颖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L29/78 ,  G06F17/50 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了一种晶体管，该晶体管包括Si衬底、沟道层、源极和漏极、覆盖于沟道层上面的绝缘层、以及位于绝缘层上的栅极；其中沟道层为具有半导体导电特性的单原子层SnO,源漏极为具有金属导电特性的双原子层SnO。本发明还提供了一种通过计算和模拟构建晶体管的模型的方法。本发明提供的该晶体管由于沟道层和源漏极采用单一二维材料SnO，改善了沟道层与源漏极侧壁的欧姆接触，大大降低了两者的接触电阻，提高了晶体管的散热性；通过模拟测试，证明晶体管具有高的电子迁移率。

公开(公告)号：CN106206736B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610632361.7

申请日：2016-08-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陆赟豪 ,  吴琛 ,  兰珍云 ,  肖承诚 ,  徐晓颖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种晶体管，该晶体管包括Si衬底、沟道层、源极和漏极、覆盖于沟道层上面的绝缘层、以及位于绝缘层上的栅极；其中沟道层为具有半导体导电特性的单原子层SnO,源漏极为具有金属导电特性的双原子层SnO。本发明还提供了一种通过计算和模拟构建晶体管的模型的方法。本发明提供的该晶体管由于沟道层和源漏极采用单一二维材料SnO，改善了沟道层与源漏极侧壁的欧姆接触，大大降低了两者的接触电阻，提高了晶体管的散热性；通过模拟测试，证明晶体管具有高的电子迁移率。