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公开(公告)号:CN101817645A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN201010122919.X
申请日:2010-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的聚电解质多层膜上构建物理图案的方法,步骤包括:将溶剂滴加到聚电解质多层膜表面,把硅橡胶印章盖到湿润的多层膜上,放入20-70℃烘箱中挥发去除溶剂,待溶剂挥发后揭掉印章,得到图案化聚电解质多层膜。采用本发明方法通过改变聚电解质多层膜厚度、成型温度和溶剂,可以得到所需要不同高度和不同结构的图案。制备工艺简单,无需外力,成型时间短,可控性强,适用体系广泛。所得图案化表面有望用于光学、组织工程、传感器等领域。
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公开(公告)号:CN101817645B
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201010122919.X
申请日:2010-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的聚电解质多层膜上构建物理图案的方法,步骤包括:将溶剂滴加到聚电解质多层膜表面,把硅橡胶印章盖到湿润的多层膜上,放入20-70℃烘箱中挥发去除溶剂,待溶剂挥发后揭掉印章,得到图案化聚电解质多层膜。采用本发明方法通过改变聚电解质多层膜厚度、成型温度和溶剂,可以得到所需要不同高度和不同结构的图案。制备工艺简单,无需外力,成型时间短,可控性强,适用体系广泛。所得图案化表面有望用于光学、组织工程、传感器等领域。
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