公开(公告)号：CN104347582A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326155.X

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  何志 ,  陈琛 ,  盛况 ,  崔京京

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件，通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连，所得到的DBC基板再与外部封装相连，可以使得该半导体装置在承受反偏高压时，DBC板承担大部分耐压，器件纵向耐压获得增强。通过优化横向尺寸及结构可以大幅度提高半导体器件的综合耐压水平。

公开(公告)号：CN104347695A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326456.2

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  盛况 ,  陈琛 ,  崔京京

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0646

Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率的晶体管，其衬底下增加埋层承受一定纵向电压，其掺杂类型与衬底掺杂类型相反。当器件承受高压时，其衬底相当于一个反偏二极管，承受大部分电压。可以使得该半导体装置的纵向耐压能力获得增强，因此可以通过优化器件横向尺寸及结构提高器件综合耐压。

公开(公告)号：CN104347522A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326457.7

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  陈琛 ,  盛况 ,  崔京京

IPC: H01L21/8258

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明公开了一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，本发明的半导体装置为采用III-V族半导体材料的高电子迁移率器件，通过一定的方法在利用SOI技术，将基于 晶向硅材料衬底的高耐压的GaN半导体器件和基于 晶向硅材料的低压器件进行单片功率集成的目的。该方法结构应用于基于不同材料的混合型智能功率集成电路。

公开(公告)号：CN103730518A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210391027.9

申请日：2012-10-16

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  汤岑 ,  陈琛 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清 ,  崔京京

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流导通能力和高耐压的半导体装置及其制备方法。本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的肖特基势垒二极管，具有倾斜金属场板的结构和增强层III-V半导体材料层。正向导通时，通过电导调制作用使得该半导体装置在正偏时的导通能力获得提升。反偏时，带有掺杂的增强层通过对2DEG的调制从而使得耐压能力获得提高。因此可以实现比传统肖特基势垒二极管更低的导通电阻Ron和更高的击穿电压Vbr。该结构适合应用于平面结构的功率器件。