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公开(公告)号：CN119270600A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411374453.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种显示面板用水系光刻胶剥离液及其制备方法和应用。所述显示面板用水系光刻胶剥离液，按照重量份计算，包括如下组分；复合功能剂0.1‑0.5份；有机胺15‑25份；极性溶剂10‑20份；金属抗蚀剂1‑5份；超纯水30‑50份。本发明采用的复合功能剂中富电子水溶性化合物与氧化石墨烯的氧化基团通过静电或氢键发生作用，形成稳定的网络结构，使各分子在溶液中连接更紧密，更好的维持水系光刻胶剥离液整体的稳定性，达到降低水系光刻胶剥离液中其余组分的挥发，降低制程中的作业风险的效果，延长了水系剥离液的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119121229A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411260048.6
申请日：2024-09-10
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铜基复合金属显示蚀刻液及其制备方法与应用。所述的蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：过氧化氢5‑20份；酸性物质5‑15份；螯合剂0.01‑0.05份；醇胺2‑10份；缓蚀剂0.1‑1份；稳定剂0.1‑2份；去离子水50‑80份。本发明蚀刻液中的螯合剂可以超强络合铜离子，不仅减弱对过氧化氢的分解，还可以提供稳定的酸性环境。本发明的蚀刻液可以保证在铜离子含量达到12000ppm，且蚀刻反应中，玻璃基板无金属残留，无二段角和Mo拖尾现象发生。本发明的蚀刻液可应用于Cu/MoNb合金基板，具有良好的蚀刻效果。
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公开(公告)号：CN118755476A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410733841.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示面板bottom‑ITO蚀刻液、其制备方法及应用，所述显示面板bottom‑ITO蚀刻液包括重量配比如下的各组分：两种或两种以上有机羧酸的混合物2‑10份；含氨基的芳烃化合物1‑5份；含羧基的芳烃化合物0.5‑3份；添加剂1‑5份；超纯水30‑50份；添加剂为含有羟基的苯酚类化合物。本发明还公开了显示面板bottom‑ITO蚀刻液的制备方法。本发明显示面板bottom‑ITO蚀刻液能避免SnO2颗粒残留和Ag析出，对于ITO有稳定的刻蚀速率，对于绝缘层与光刻胶均无损伤，可在OLED像素电极制造过程中使用，尤其适用于ITO/Ag/ITO三步刻蚀中的bottom‑ITO层蚀刻。
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公开(公告)号：CN118996421A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411005147.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及一种兼容不同膜厚的显示材料Cu酸蚀刻液及其制备方法与应用。所述的Cu酸蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：过氧化氢5‑20份；过氧化氢稳定剂0.1‑2份；氟化铵0.01‑0.1份；酸性物质5‑15份；有机碱2‑10份；缓蚀剂0.1‑1份；去离子水50‑80份。本发明的铜酸蚀刻液，使蚀刻液整体保持稳定的酸性环境，稳定蚀刻反应pH值，并且可以络合铜离子，使其减弱对过氧化氢的分解；保证在铜离子含量达到6000ppm时，Taper变化在5°以内，且蚀刻反应中，玻璃基板无金属残留，二段角，Mo拖尾现象发生，具有良好的蚀刻效果。
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公开(公告)号：CN116970954A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310771295.1
申请日：2023-06-28
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/30
Abstract: 本发明提供一种银蚀刻液、其制备方法与应用，所述银蚀刻液包括重量配比如下的各组分：羧酸50‑80份；磺酸2‑8份；无机酸5‑20份；螯合剂0.1‑2份；pH调节剂1‑5份；超纯水30‑50份。所述羧酸为乙酸、柠檬酸、酒石酸、草酸、乙醇酸、苯六甲酸、氮硫方酸、三氯乙酸和赖氨酸中的一种或几种。本发明还公开了银蚀刻液的制备方法及其在蚀刻ITO‑Ag‑ITO复合层领域的应用。本发明银蚀刻液对于ITO‑Ag‑ITO有稳定的刻蚀速率，对于绝缘层与光刻胶均无损伤，能在OLED像素电极制造过程中使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116855252A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310771296.6
申请日：2023-06-28
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种Ag蚀刻液、其制备方法与用途。本发明Ag蚀刻液包括重量配比如下的各组分：无机酸40‑80份；有机酸10‑50份；缓蚀剂0.05‑1.5份；螯合剂0.1‑2份；缓冲剂1‑7.5份；超纯水30‑50份。本发明还公开了Ag蚀刻液的制备方法及其在蚀刻ITO‑Ag‑ITO复合层领域的用途。所述无机酸选自磷酸、硫酸、碳酸、硼酸、氢溴酸、碘酸、次碘酸、氢氟酸和硝酸中的一种或多种。所述无机酸优选为磷酸和硝酸。本发明Ag蚀刻液对ITO‑Ag‑ITO有稳定的刻蚀速率，且对绝缘层与光刻胶均无损伤，能在OLED像素电极制造过程中使用，Ag层蚀刻后无毛刺与内缩。
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公开(公告)号：CN119530808A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411728147.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种两剂型液晶面板铜酸蚀刻液及其制备方法与用途。所述的蚀刻液，包括蚀刻液主剂和蚀刻液辅剂，按照重量份计算，所述蚀刻液主剂包括如下的各组分：过氧化氢5‑20份；酸性物质5‑15份；有机碱3‑10份；缓蚀剂0.01‑0.1份；螯合剂0.01‑0.08份；稳定剂0.3‑2份；去离子水60‑80份；所述蚀刻液辅剂包括如下的各组分：酸性物质30‑45份；有机碱30‑50份；缓蚀剂0.02‑0.2份；稳定剂0.3‑2份；去离子水40‑60份。本发明的蚀刻液中螯合剂同时具备缓蚀与螯合双重作用，还可以调节主剂的pH值，稳定蚀刻液的蚀刻环境，延长主剂在蚀刻过程中的使用周期，此两剂型蚀刻液经过48个小时蚀刻能力保持一致，并且pH、过氧化氢含量保持稳定。
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公开(公告)号：CN119372649A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411435318.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/20
Abstract: 本发明提供一种兼容型显示面板铝蚀刻液、其制备方法与应用，所述蚀刻液包括重量配比如下的各组分：无机酸21‑30份；有机酸5‑10份；含氟酯类化合物1.2‑5份；有机胺2‑5份；超纯水30‑50份。无机酸包括组分A和组分B，组分A为磷酸、硫酸、碳酸和高氯酸中的一种或多种，组分B为硝酸。有机酸包括组分C和组分D，组分C为甲酸、乙酸、丙酸和乳酸中的一种或多种；组分D为2‑氨基乙磺酸、对氨基苯磺酸和氨基萘磺酸中的一种或多种。本发明兼容型显示面板铝蚀刻液对Mo、Al、Ti均有稳定可控的蚀刻速率，对于绝缘层与光刻胶均无损伤，在显示面板制造领域具有良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
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公开(公告)号：CN119126508A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411232831.1
申请日：2024-09-04
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种显示面板用正性光刻胶剥离液及其制备方法和应用。所述的正性光刻胶剥离液，按照重量份计算，包括如下组分：除水添加剂0.2‑1份；有机胺5‑20份；有机溶剂20‑60份；缓蚀剂0.2‑0.8份。本发明采用醇胺盐酸盐和酯类化合物作为除水添加剂，具有除水和稳定剥离液的双重功能，其除水功能可以降低醇胺、酰胺或醇醚的水解机率，而稳定功能则是调节该体系的pH，保证剥离液的有效成分，使得剥离液的剥离能力得到持续，从而使得该体系具有更长的使用寿命,在剥离光刻胶的同时防止剥离液对金属产生腐蚀。
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公开(公告)号：CN119087757A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411486620.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于显示面板的水基型光刻胶剥离液、制备方法及应用。所述的用于显示面板的水基型光刻胶剥离液，按照重量份计算，包括如下组分：醇醚类化合物20‑30份；有机胺类化合物20‑35份；植物提取物1‑2份；金属酶0.5‑1份；螯合剂0.5‑1.5份；超纯水25‑40份。本发明采用植物提取物和金属酶代替传统的缓蚀剂，能够在剥离过程中形成保护层，防止基材表面受到化学侵蚀或损伤。这种改进确保了剥离液在高效去除光刻胶的同时，不会对基材造成不必要的损害，同时减少了传统化学缓蚀剂带来的环境污染问题。
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