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公开(公告)号：CN108658077A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810429095.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 浙江工业大学之江学院
Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC颗粒的制备方法，特别是一种激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法，其步骤：1)采用溶胶凝胶法制备SiO2凝胶，将SiO2凝胶均匀涂抹在石墨基板上；2)以SiO2与石墨转变的物性参数选择激光能量密度参考值，通过激光能量密度的参考值选择所需激光工艺参数；3)利用步骤2)的各项数据，采用激光照射步骤1)所制备的涂层，对所获得的产物进行测试、分析，获得制备纳米SiC颗粒的最佳激光能量密度设定值，达到制备纳米SiC颗粒的目的。其解决了“简化纳米SiC颗粒制备工艺”的技术问题，本发明具备纳米SiC颗粒的制备工艺简单，制备温度低，生产周期短等优点。
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公开(公告)号：CN108658077B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810429095.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 浙江工业大学之江学院
Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC颗粒的制备方法，特别是一种激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法，其步骤：1)采用溶胶凝胶法制备SiO2凝胶，将SiO2凝胶均匀涂抹在石墨基板上；2)以SiO2与石墨转变的物性参数选择激光能量密度参考值，通过激光能量密度的参考值选择所需激光工艺参数；3)利用步骤2)的各项数据，采用激光照射步骤1)所制备的涂层，对所获得的产物进行测试、分析，获得制备纳米SiC颗粒的最佳激光能量密度设定值，达到制备纳米SiC颗粒的目的。其解决了“简化纳米SiC颗粒制备工艺”的技术问题，本发明具备纳米SiC颗粒的制备工艺简单，制备温度低，生产周期短等优点。
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