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公开(公告)号：CN118016544B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410415152.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种高深宽比铟凸点的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）在基底上制备第一光刻胶掩膜层，其中第一光刻胶掩膜层的厚度大于所需制备的铟凸点的高度；（2）在第一光刻胶掩膜层上制备第二光刻胶掩膜层；（3）在基底上进行第一次铟沉积，去除第二光刻胶掩膜层，在所述沉积孔部位形成第一铟凸点，所述第一光刻胶掩膜层保留在所述基底表面；（4）在基底上进行第二次铟沉积，去除第一光刻胶掩膜层，在基底表面形成所述铟凸点。本发明采用两种剥离难易程度不同的光刻胶在基底表面制备两层光刻胶掩膜层，利用第二光刻胶掩膜层的剥离对铟沉积孔开口进行清洁，通过两次铟沉积拔高铟凸点高度，实现高宽比大于1的平台状铟凸点的制备。
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公开(公告)号：CN117553445B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410031446.4
申请日：2024-01-09
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器快速启动集成制冷机组件，包括斯特林制冷机、节流制冷器和杜瓦瓶；斯特林制冷机包括冷指气缸和斯特林制冷主机，冷指气缸通过软管与斯特林制冷主机相连；节流制冷器包括热交换器，高压混合气体接入热交换器，高压混合气体为35Mpa~45Mpa压力的Ar/C2H6/C3H8混合气体；热交换器围绕冷指气缸缠绕形成两种制冷方式集成耦合的快速制冷器冷指；杜瓦瓶内设置有冷盘，冷盘的一个端面设有微孔蓄冷垫，快速制冷器冷指通过微孔蓄冷垫与冷盘贴合，冷盘的另一个相对端面上设置有中波红外焦平面芯片和经过黑化处理的超薄冷屏。本发明能够实现某些红外探测、预警和制导等系统的快速启动。
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公开(公告)号：CN115074053A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210867378.6
申请日：2022-07-22
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
Abstract: 本发明的目的是针对现有技术采用点胶头作红外探测器底填胶时由于填胶过程中水平层与垂直方向上的扩散存在差异，在胶水固化之后出现未填充的空隙与胶内气泡，导致芯片与读出电路之间的连接性差的不足，提供一种磁性胶、减少填胶气泡和孔隙的方法及填胶用的装置，本发明的磁性胶，在所述的胶液中混合有绝缘磁性纳米棒，所述绝缘磁性绝缘纳米棒的长度为100nm‑200nm，在胶水中的含量按质量计算为5±1%；本发明的一种底填胶用磁力发生装置，所述磁力发生装置能产生磁场，所述磁场用于作用磁性胶中的磁子使其产生运动，本发明提供的磁性胶和磁力发生装置，胶水中的磁子被磁场吸引，使其在胶水中运动，从而可促进胶水扩散。
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公开(公告)号：CN119880283A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411920497.9
申请日：2024-12-25
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: G01M3/20 , G01N21/3504
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体提供了一种红外探测器杜瓦组件的检漏系统及检漏方法。检漏系统包括：检漏工装、检漏仪和气源。检漏工装设置为可拆卸的封闭箱体，检漏工装内部包括多个检漏工位，每个检漏工位上密封固定一个待测杜瓦组件，待测杜瓦组件固定于检漏工位时与检漏工装内的抽气腔连通。检漏仪与检漏工装密封连接，且与抽气腔内部连通。气源与检漏工装密封连接，且与检漏工装内抽气腔以外的区域连通，气源用于释放示踪气体。本发明创造提供的检漏系统及检漏方法能够对杜瓦组件批量进行检漏，适配杜瓦组件的批量生产。准确度更高，避免开放的检漏环境中示踪气体的影响。自动化程度更高，避免人工操作的误判。
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公开(公告)号：CN119469422A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510048008.3
申请日：2025-01-13
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: G01J5/061
Abstract: 本发明涉及红外探测器杜瓦组件的制备技术领域，具体提供了一种吸气剂固定环、吸气剂自适应封装结构及安装方法，该固定环包括环形部，以及设置在环形部上的焊接部和开口部，其中，环形部的宽度大于其厚度，焊接部设置为凸出环形部的外凸段，开口部设置为环形部向外延伸的两端。本发明通过夹紧开口部的两端可以控制上述吸气剂固定环对吸气剂的夹持力，易于操作，且结构简单紧凑，安装面积较小，能够解决相关技术中吸气剂固定结构存在的固定焊接操作较难，可承受振动冲击载荷较小，不利于实现杜瓦小型化的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117832327A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410048722.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/02
Abstract: 本发明涉及一种高细铟凸点的制备方法、铟凸点阵列和红外探测器，其中制备方法包括以下步骤：S1、基底的第一区域和第二区域覆盖第一光刻胶；S2、去除第一区域中对应待制备高细铟凸点的位置的第一光刻胶和第二区域的第一光刻胶，使对应待制备高细铟凸点的位置形成沉积孔，使第二区域的基底表面暴露，并使剩余区域的第一光刻胶形成第一光刻胶掩膜；S3、第一区域和第二区域沉积铟膜层；S4、第一区域和第二区域上覆盖第二光刻胶；S5、去除第二区域的第二光刻胶，使第二区域的铟膜层暴露，并使第一区域的第二光刻胶形成第二光刻胶掩膜；S6、去除第二区域的铟膜层；S7、去除第一区域的第一光刻胶掩膜和第一区域的第二光刻胶掩膜。本发明工艺难度低。
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公开(公告)号：CN116190293A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310363670.9
申请日：2023-04-06
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
Abstract: 一种集成芯片倒装焊调平方法，系统及芯片，其方法包括如下步骤:步骤100：在芯片上的多个芯片照射点以及基板上的多个基板照射点设置曲面镜；步骤200：分别向芯片和基板输出检测光束，基于检测光束在各曲面镜上的反射率调整基板位置，使各基板照射点依次对准其对应的芯片照射点；步骤300：分别取得各芯片照射点与其对应的基板照射点的对准距离值；步骤400：将基板移动至初始位置，使得对应于最大的对准距离值的芯片照射点向与其对应的基板照射点靠近，并跳转至步骤200，直至各对准距离值同时满足预设的调平条件。本发明无需提高激光发射强度或增加反射光探测器吸收面积即可实现芯片与基板的调平，降低了设备的复杂度和制备成本。
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公开(公告)号：CN119772302A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510073791.9
申请日：2025-01-17
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: B23K3/00 , B23K3/08 , B23K101/40
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体提供了芯片倒焊装置、芯片倒焊方法和芯片组件，芯片倒焊装置包括压焊件和调距压头，压焊件被配置为相对电路基板可沿第一方向移动，以将目标芯片上的电连接件与电路基板压紧焊接；电路基板的电路所在面与第一方向垂直；调距压头至少设置有一个，调距压头连接压焊件，调距压头被配置为可沿第一方向移动目标距离，以将目标连接件与电路基板压紧焊接；其中，在目标芯片与电路基板压紧焊接的情况下，目标芯片上未连接电路基板的电连接件为目标连接件；目标距离为目标连接件的焊接面至基准平面的距离，基准平面与第一方向垂直。本发明通过设置调距压头实现精确压力控制，提高了产品质量，保证了高的倒焊互连可靠性。
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公开(公告)号：CN119432284A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510046067.7
申请日：2025-01-13
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: C09J163/00 , C09J5/02 , C09J5/06
Abstract: 本发明涉及红外探测器粘接胶技术领域，提供了一种用于红外探测器的粘接胶的制备方法以及粘接方法，该制备方法包括：将环氧树脂胶、第一有机溶剂、第二有机溶剂按照6：3：1的质量比例混合；其中，先将第一有机溶剂与基底胶进行混合得到第一粘接胶，再将第二有机溶剂与第一粘接胶进行混合得到目标粘接胶；其中，第一有机溶剂的黏度系数小于环氧树脂胶的黏度系数，第二有机溶剂的有机质量分数为75%。基于上述制备方法制备出的粘接胶具有较强的粘接强度，能够承受冷热交变应力的冲击；采用上述粘接胶，能够减少气泡，并提高红外探测器的芯片模组的粘接面，以及测试杜瓦的热负重块的粘接面的剪切强度。
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公开(公告)号：CN118016544A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410415152.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 浙江拓感科技有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种高深宽比铟凸点的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）在基底上制备第一光刻胶掩膜层，其中第一光刻胶掩膜层的厚度大于所需制备的铟凸点的高度；（2）在第一光刻胶掩膜层上制备第二光刻胶掩膜层；（3）在基底上进行第一次铟沉积，去除第二光刻胶掩膜层，在所述沉积孔部位形成第一铟凸点，所述第一光刻胶掩膜层保留在所述基底表面；（4）在基底上进行第二次铟沉积，去除第一光刻胶掩膜层，在基底表面形成所述铟凸点。本发明采用两种剥离难易程度不同的光刻胶在基底表面制备两层光刻胶掩膜层，利用第二光刻胶掩膜层的剥离对铟沉积孔开口进行清洁，通过两次铟沉积拔高铟凸点高度，实现高宽比大于1的平台状铟凸点的制备。
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