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公开(公告)号：CN101405826A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009546.1
申请日：2007-02-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/02
Abstract: 本发明涉及一种光电变换装置的制造方法，该方法在不会使光电面的特性劣化的情况下，气密性地接合形成容纳上述光电面的外围器的两个部材。在具有光电面(7)的上侧框架(2)的接合部上，依次层叠铬金属膜(11a)和镍金属膜(12b)。下侧框架(5)由具备电子倍增管(8)和阳极(9)的平板状部材(4)以及硅制框部材(3)构成。在上述框部材的接合部上，依次层叠铬金属膜(10a)和镍金属膜(10b)。上述上侧框架和上述下侧框架夹持着含铟的接合材料(12)而重合。在减压至规定的真空度并被保持在铟的熔点以下的温度的真空空间内，在规定的压力下互相押接上述上侧框架和上述下侧框架，形成具有维持充分的气密性的容纳空间的外围器。
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公开(公告)号：CN101814414B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010123813.1
申请日：2010-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/243
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管，以防止电子向倍增极之间的箱体的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管(1)具有彼此相对地配置且各自的相对面(20a、40a)由绝缘材料构成的基板(20、40)、与基板(20、40)共同构成箱体的基板(30)、从基板(40)的相对面(40a)上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的倍增极(31a～31j)、从倍增极(31a)向一端侧间隔设置的光电面(22)以及从倍增极(31j)向另一端侧间隔设置的阳极部(32)，基板(20)的相对面(20a)被形成为覆盖倍增极(31a～31j)，在该相对面(20a)上，在与每一个倍增极(31a～31j)相对的部位上，设置有彼此电独立且被设定为与倍增极等电位的多个导电膜(21a～21j)。
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公开(公告)号：CN100594578C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200680019795.4
申请日：2006-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J43/18
CPC classification number: H01J43/18
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器，其具有能实现高倍增效率的微细结构。该光电倍增器具备将内部维持在真空的外围器，在规定该外围器的内部空间的内壁面的一部分即器件搭载面(40a)上，配置有反射型光电面即光电面(22)、电子倍增部(31)、阳极(32)、电压分配部(311)。尤其是，电子倍增部由用于对来自光电面的光电子进行级联倍增的多段倍增电极构成，向这些各段倍增电极分别施加相应电压的电压分配部，和电子倍增部一起位于同一平面上。
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公开(公告)号：CN101814413B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010123812.7
申请日：2010-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/243
Abstract: 一种光电倍增管，以防止电子向倍增极之间的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管具备：具有形成有由绝缘材料构成的主面的玻璃基板的箱体、从主面上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的第1级～第N级(N为2以上的整数)倍增极、从第1级倍增极向一端侧偏离而设置并释放光电子的光电面、以及从第N级倍增极向另一端侧偏离而设置并将被倍增了的电子作为信号取出的阳极部。在玻璃基板的主面上，在邻接的2个倍增极之间，形成有表面由绝缘材料构成的沟槽部，第1级～第N级倍增极被固定在与玻璃基板的沟槽部邻接的凸部上。
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公开(公告)号：CN101238543B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680029180.X
申请日：2006-06-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 光电子倍增管(1)包括外围器(5)和容纳于外围器内的光电面(6)，该外围器具有至少在一个端部形成有开口的框架(3b)和气密地接合于该开口的上侧基板(2)，该光电面响应于从外部入射的光而向该外围器的内部放出光电子。在开口以及上侧基板的与开口接合的接合部分上分别形成有多层金属膜(10a、10b)，该多层金属膜通过向着接合方依次层叠由钛形成的金属膜(11a、11b)、由白金形成的金属膜(12a、12b)、以及由金形成的金属膜(13a、13b)而形成，框架(3b)和上侧基板(2)通过在各多层金属膜之间夹着含有铟的接合层(14)而接合。由于在接合部分上没有形成铬层，因而防止了接合部分的氧化铬的析出，即使在外围器小型化的情况下，也稳定地保持了接合部分的气密性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101208768B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200680019274.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/06
Abstract: 本发明涉及具有实现稳定的检测精度的细微结构的光电子倍增器。该光电子倍增器具内部被维持为真空的外围器，在该外围器内，配置有光电面(22)、电子倍增部(311)以及阳极(32)。特别地，配置于包围电子倍增部以及阳极的外围器的内部空间中的一个或一个以上的控制电极(320)，通过从电子倍增部的电子放出端延伸的一个或一个以上的连接部而电连接。在该结构中，通过将施加于电子倍增部的电子入射端与电子放出端之间的电压施加于电子入射端与控制电极之间，在电子倍增部，形成从光电面侧朝向阳极侧逐渐增加的电位梯度，同时使该电子倍增部的电子放出端与阳极之间具有足够的电位差，可以得到稳定的检测精度。
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公开(公告)号：CN101238543A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029180.X
申请日：2006-06-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 光电子倍增管(1)包括外围器(5)和容纳于外围器内的光电面(6)，该外围器具有至少在一个端部形成有开口的框架(3b)和气密地接合于该开口的上侧基板(2)，该光电面响应于从外部入射的光而向该外围器的内部放出光电子。在开口以及上侧基板的与开口接合的接合部分上分别形成有多层金属膜(10a、10b)，该多层金属膜通过向着接合方依次层叠由钛形成的金属膜(11a、11b)、由白金形成的金属膜(12a、12b)、以及由金形成的金属膜(13a、13b)而形成，框架(3b)和上侧基板(2)通过在各多层金属膜之间夹着含有铟的接合层(14)而接合。由于在接合部分上没有形成铬层，因而防止了接合部分的氧化铬的析出，即使在外围器小型化的情况下，也稳定地保持了接合部分的气密性。
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公开(公告)号：CN101208768A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680019274.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/06
Abstract: 本发明涉及具有实现稳定的检测精度的细微结构的光电子倍增器。该光电子倍增器具内部被维持为真空的外围器，在该外围器内，配置有光电面(22)、电子倍增部(311)以及阳极(32)。特别地，配置于包围电子倍增部以及阳极的外围器的内部空间中的一个或一个以上的控制电极(320)，通过从电子倍增部的电子放出端延伸的一个或一个以上的连接部而电连接。在该结构中，通过将施加于电子倍增部的电子入射端与电子放出端之间的电压施加于电子入射端与控制电极之间，在电子倍增部，形成从光电面侧朝向阳极侧逐渐增加的电位梯度，同时使该电子倍增部的电子放出端与阳极之间具有足够的电位差，可以得到稳定的检测精度。
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公开(公告)号：CN101189700A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019795.4
申请日：2006-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J43/18
CPC classification number: H01J43/18
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器，其具有能实现高倍增效率的微细结构。该光电倍增器具备将内部维持在真空的外围器，在规定该外围器的内部空间的内壁面的一部分即器件搭载面(40a)上，配置有反射型光电面即光电面(22)、电子倍增部(31)、阳极(32)、电压分配部(311)。尤其是，电子倍增部由用于对来自光电面的光电子进行级联倍增的多段倍增电极构成，向这些各段倍增电极分别施加相应电压的电压分配部，和电子倍增部一起位于同一平面上。
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公开(公告)号：CN101405826B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200780009546.1
申请日：2007-02-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/02
Abstract: 本发明涉及一种光电变换装置的制造方法，该方法在不会使光电面的特性劣化的情况下，气密性地接合形成容纳上述光电面的外围器的两个部材。在具有光电面(7)的上侧框架(2)的接合部上，依次层叠铬金属膜(11a)和镍金属膜(12b)。下侧框架(5)由具备电子倍增管(8)和阳极(9)的平板状部材(4)以及硅制框部材(3)构成。在上述框部材的接合部上，依次层叠铬金属膜(10a)和镍金属膜(10b)。上述上侧框架和上述下侧框架夹持着含铟的接合材料(12)而重合。在减压至规定的真空度并被保持在铟的熔点以下的温度的真空空间内，在规定的压力下互相押接上述上侧框架和上述下侧框架，形成具有维持充分的气密性的容纳空间的外围器。
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