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公开(公告)号：CN106841893A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611196363.2
申请日：2016-12-22
Applicant: 海太半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R31/02
CPC classification number: G01R31/025
Abstract: 本发明涉及一种DRAM的检测方法，尤其是DRAM短路分析方法，包含以下步骤：步骤1，通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；步骤2，通过万用表对步骤1中所述区域进行短路检测，确定短路的两个引脚；步骤3，将步骤2中所述两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。步骤2中所述短路检测的引脚根据锡球位置图确定两个引脚。本发明提供的DRAM短路分析方法简单、准确，快速确定是芯片短路还是基板上金线短路。
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