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公开(公告)号：CN114678839B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210318914.7
申请日：2022-03-29
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明属于电路设计技术领域，公开了一种适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用，所述适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路包括典型去饱和保护电路拓扑，用以区分FUL故障的逻辑处理电路以及从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路；所述适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括：典型去饱和保护电路拓扑加上用以区分FUL故障的逻辑处理电路，再加入从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路，实现对HSF故障处理的加速。本发明在响应速度提高的同时不牺牲其抗干扰性，优化范围较为全面，在处理两类不同的短路故障时均得到改进，可实现快速而可靠的电路保护。
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公开(公告)号：CN114678839A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210318914.7
申请日：2022-03-29
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明属于电路设计技术领域，公开了一种适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用，所述适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路包括典型去饱和保护电路拓扑，用以区分FUL故障的逻辑处理电路以及从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路；所述适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括：典型去饱和保护电路拓扑加上用以区分FUL故障的逻辑处理电路，再加入从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路，实现对HSF故障处理的加速。本发明在响应速度提高的同时不牺牲其抗干扰性，优化范围较为全面，在处理两类不同的短路故障时均得到改进，可实现快速而可靠的电路保护。
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公开(公告)号：CN113657064B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110963062.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明属于功率半导体模块仿真技术领域，公开了一种功率半导体模块多物理场联合仿真方法，功率半导体模块多物理场联合仿真方法包括：采用支持导入器件spice模型的专业电路仿真软件PSpice，通过设计特定协同分析方法并二次开发软件数据交互接口即构建联合仿真的耦合接口，采用间接耦合的方式进行PSpice和COMSOL两个软件的电‑热‑力的联合协同仿真。本发明结合了电路仿真软件PSpice和有限元仿真软件COMSOL两者的优势，实现了场与路的耦合仿真；本发明考虑了电、热、力之间的强耦合关系，实现了电、热、力之间实时的双向耦合，提高了仿真的精度；本发明步长自适应，大大缩短了仿真所需时间，提高了仿真效率。
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公开(公告)号：CN113659827B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110961698.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开了一种消隐时间自适应去饱和保护改进电路、设计方法及应用，适用于SiC MOSFET的消隐时间自适应去饱和保护改进电路的构成为：在典型去饱和保护电路拓扑再加上一条从MOSFET漏极额外引出的充电支路。本发明通过利用开关器件的电压在“正常工作”与“发生短路故障”这两种不同工况下时的差异性，对去饱和检测电路进行简要改动，以此实现仅仅针对故障状况的保护加速，无需使用额外的数字处理器和逻辑器件，实现简单且成本低，快速而可靠；几乎不影响正常工作时电路的抗干扰性，即不容易误触发保护；保护的加速效果具备一定的自适应性，工作电压越高，短路时的保护触发越迅速。
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公开(公告)号：CN113941380B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111205524.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直片层取向结构材料的制备方法及其应用，该材料的制备方法，包括以下步骤：制备含有微管道阵列的微流控芯片；配制含有纳米片材料的分散液；将含有纳米片材料的分散液注入微流控芯片中，然后流入至凝固液里，再经过冷冻干燥即得垂直片层取向结构材料。本发明的材料的制备方法，微流控芯片上的微管道阵列作为模板，由于微管道阵列具有高深宽比，其可以对纳米片材料的取向进行精细控制，高深宽比的微管道阵列影响了纳米片流体在流动期间纳米片的对齐和取向顺序，由此产生了高有序度的宏观垂直片层结构。此发明解决了现有技术中存在的不足，可适用于多种二维材料，独特的垂直片层通道可应用于散热、电化学储能以及催化等领域。
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公开(公告)号：CN113691194B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110963074.5
申请日：2021-08-20
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
IPC: H02P27/08 , H02J3/00 , G01R19/165
Abstract: 本发明属于过电压预测技术领域，公开了一种电机驱动系统的机端过电压预测方法、预测系统、终端，测量得到某一频率下电缆的阻抗参数和全频率范围内电机的阻抗特性，计算得到电缆二端口网络的传递函数；根据逆变器的开关特性确定逆变器端输入电压波的波形；对逆变器端电压波形进行傅里叶变换得到输入电压频谱；与传递函数相乘得到输出电压频谱，再对输出电压频谱进行傅里叶反变换得到预测的机端过电压波形。本发明建立了电机驱动系统的二端口网络模型，基于传输线波动方程和所建立的精确电缆单位分布阻抗电路模型推导了系统二端口矩阵的解析表达式，预测结果更加精确，参数获取容易，且只用数学计算工具来实现，更加适用于实际工程应用。
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公开(公告)号：CN114726191A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210404306.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明属于门极驱动电路技术领域，公开了一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法，所述可降低开关损耗的部分自举门极驱动电路包括开关器件、PWM、供电电源、信号隔离、非隔离驱动芯片、自举结构、驱动电阻、Mon和Moff。相比于电压源型驱动，本发明可显著提高开关速度并降低开关损耗；相比于电流源型驱动，本发明具有自适应的特点，不需要额外的时序控制，不存在过充电损耗开关器件的风险；相比于复杂的有源驱动，本发明具有结果简单、可靠性高的优势。本发明中使用自举结构，在不增加供电电源的前提下可以实现倍压输出，克服了宽禁带器件较大门极内部寄生电阻的限制，可显著降低开关损耗。
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公开(公告)号：CN219225005U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223425385.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司
Abstract: 本实用新型公开了用于集成电路的上下电测试装置，属于集成电路技术领域，包括操作台，所述操作台顶部的一侧固定安装有安装板上活动安装有夹持结构，所述操作台顶部的后侧固定安装有支撑板，所述支撑板的正面固定安装有复位结构，所述复位结构的底部对接安装有检测探头，所述支撑板的顶部固定安装有机壳，所述机壳内固定安装有配合使用的检测机构；本申请技术方案通过设置在安装板上的夹持结构使装置可以对所需测试的集成电路板进行夹持固定，并且又可以通过旋转翻转的方式来切换集成电路的上下测试面，这样不但满足了人员对集成电路上下的测试作业，在旋转时也避免人员人工翻动导致集成电路上的组件受到影响干扰到测试情况。
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公开(公告)号：CN219226673U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202320118380.3
申请日：2023-02-06
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司
Abstract: 本实用新型涉及功率模块接线技术领域，且公开了一种功率模块的插接端子，包括第一接线端子和第二接线端子，所述第一接线端子的内部开设有圆槽，所述圆槽的内部活动连接有推块，所述第二接线端子的左侧固定设置有连接块，所述连接块的左侧与推块的右侧活动连接。该功率模块的插接端子，通过将接线端子左侧连接块与另一接线端子右侧的长槽对准接入，使连接块伸入接线端子右侧的圆槽中，再九十度转动其中一个接线端子，通过两个弹簧的弹力作用，使推块推动连接块右移，使得两个插杆的左端分别与连接块右侧的两个插孔内配合，从而使两个接线端子组合在一起，组合方便快速且不会发生偏移，进而便于功率模块插接端子的快速组合安装。
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公开(公告)号：CN219144161U
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202320118285.3
申请日：2023-02-06
Applicant: 深圳市优联半导体有限公司
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件技术领域，且公开了一种功率半导体器件的封装结构，包括壳体，所述壳体的顶部开设有放置槽，所述放置槽的内部设置有功率器件，所述功率器件的左侧固定安装有三个引脚，所述壳体的顶部安装有盖板，所述盖板底部的左侧固定连接有三个封块，三个所述封块的底部均开设有凹槽，三个所述引脚的上表面分别与三个凹槽的内部相适配。该功率半导体器件的封装结构，通过设置方形槽，将四个螺杆表面螺纹连接的螺母拧出，使对壳体上方盖板进行拆卸，当盖板从壳体上取下后，壳体顶部左侧的三个方形槽打开，即可将壳体内带有引脚的功率器件直接取出，无须对引脚进行拆卸，从而提高了功率半导体器件的拆卸效率。
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