公开(公告)号：CN111725399A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010587497.7

申请日：2020-06-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋成 ,  孙一鸣 ,  潘峰 ,  乔磊磊 ,  曾飞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氧族化合物薄膜的选通器及其制备方法。本发明通过在制备过程中调控氧族元素(包括O、S、Se、Te等)在化合物薄膜中的化学计量比，实现对于选通器工作电流上限的调控，可以根据不同的需求制备出符合要求的选通器，更有利于其在高密度集成和神经计算电路中的应用。

公开(公告)号：CN111725400A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010588247.5

申请日：2020-06-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋成 ,  孙一鸣 ,  潘峰 ,  乔磊磊 ,  曾飞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于部分活性金属掺杂薄膜的阻变存储器件结构及其制备方法。所述阻变存储器由下至上依次包括基片、底电极、未掺杂的介质层、活性金属掺杂的介质层和顶电极。本发明把活性金属以掺杂的方法加入介质层，本质上是将掺杂的氧化物薄膜作为电极，未掺杂的氧化物薄膜作为介质层，有利于在介质层中形成以活性金属纳米团簇构成的电子隧穿型的导电细丝，能够有效地降低阻变存储器的工作电流，进而实现低功耗的目标。

公开(公告)号：CN119181717A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202310748368.5

申请日：2023-06-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 潘峰 ,  宋成 ,  乔磊磊

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种具有超陡亚阈值摆幅的反铁电晶体管及其制备方法与应用。本发明提供的反铁电晶体管，包括自下而上的衬底、底栅、栅极绝缘层、半导体沟道层和源漏电极；其中所述栅极绝缘层由下层反铁电层和上层介电层组成。本发明通过反铁电和介电或铁电的堆垛结构极大地提升了晶体管的栅电容，减小了晶体管的亚阈值摆幅，获得了小于60mV/dec的亚阈值摆幅，对实现晶体管的低功耗操作具有重要意义。