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公开(公告)号:CN1740748A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510086376.X
申请日:2005-09-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种含有可调零的GMR芯片的磁位移传感器,属于传感器技术领域,包括磁栅尺带、GMR芯片;GMR芯片使用巨磁电阻GMR纳米磁性薄膜作为磁阻敏感材料制作的磁传感器,含调零电阻;GMR芯片固定在印刷电路板(PCB)上,通过铝硅丝绑定实现与后处理电路的电信号联接。GMR芯片与PCB板构成动尺,当动尺在定尺上横向运动时,GMR芯片将检测到的磁栅的磁场强度强弱变化转化为电信号传给后处理电路,最后信号处理电路得出动尺相对于定尺移动的位移量。该发明热稳定性好、噪声低、响应时间快;磁场灵敏度和磁电阻变化率高,适合在低磁场下工作,便于与半导体电路集成,简化了器件结构,降低成本,在传感器技术领域有重大实用价值。
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公开(公告)号:CN100375890C
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200510086376.X
申请日:2005-09-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种含有可调零的GMR芯片的磁位移传感器,属于传感器技术领域,包括磁栅尺带、GMR芯片;GMR芯片使用巨磁电阻GMR纳米磁性薄膜作为磁阻敏感材料制作的磁传感器,含调零电阻;GMR芯片固定在印刷电路板(PCB)上,通过铝硅丝绑定实现与后处理电路的电信号联接。GMR芯片与PCB板构成动尺,当动尺在定尺上横向运动时,GMR芯片将检测到的磁栅的磁场强度强弱变化转化为电信号传给后处理电路,最后信号处理电路得出动尺相对于定尺移动的位移量。该发明热稳定性好、噪声低、响应时间快;磁场灵敏度和磁电阻变化率高,适合在低磁场下工作,便于与半导体电路集成,简化了器件结构,降低成本,在传感器技术领域有重大实用价值。
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公开(公告)号:CN2828752Y
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200520023253.7
申请日:2005-09-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种含有可调零的GMR芯片的磁栅尺长度测量装置,属于传感器技术领域,该测量装置由芯片和被充磁的磁栅尺带构成,其特征在于,其芯片为GMR芯片;GMR芯片固定在印刷电路板上,通过铝硅丝绑定实现GMR芯片与后处理电路的电信号联接;GMR芯片与被充磁的磁栅条带之间保持10微米~10毫米的距离。该实用新型热稳定性好、噪声低、响应时间快;磁场灵敏度和磁电阻变化率高,可以得到比AMR传感器更高的分辨率和测量精度;适合在低磁场下工作,便于与半导体电路集成,易于得到大电阻,简化了器件结构,降低成本,在传感器长度测量技术领域有重大实用价值。
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