公开(公告)号：CN105854183B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201610348989.4

申请日：2016-05-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 尤政 ,  罗川 ,  徐雨辰

IPC: A61N1/36 ,  A61N1/05

Abstract: 本发明公开了一种耳蜗的植入体执行端和电极阵列、微驱动薄膜制备方法与集成方法，植入体执行端包括：人工耳蜗薄膜电极阵列，作为电激励源植入人工耳蜗的顶部；压电微驱动薄膜，作为声激励源位于所述人工耳蜗的底部；以及驱动电路，与所述人工耳蜗薄膜电极阵列和压电微驱动薄膜连接，用于接收体外声处理模块所输入的包含声音信息的信号并产生相应的驱动信号以驱动所述人工耳蜗薄膜电极阵列和所述压电微驱动薄膜。本发明具有如下优点：利用压电薄膜微驱动器代替助听器的扬声器部分，完成声电混合激励人工耳蜗的两种激励源完全可植入化设计，减轻患者佩戴的不便。

公开(公告)号：CN107434239A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710613928.0

申请日：2017-07-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 尤政 ,  罗川 ,  徐雨辰

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  A61N1/36 ,  A61N1/05

CPC classification number: B81B7/02 ,  A61N1/0541 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/06 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0147 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。

公开(公告)号：CN105854183A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610348989.4

申请日：2016-05-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 尤政 ,  罗川 ,  徐雨辰

IPC: A61N1/36 ,  A61N1/05

CPC classification number: A61N1/3605 ,  A61N1/0541 ,  A61N1/36125

Abstract: 本发明公开了一种耳蜗的植入体执行端和电极阵列、微驱动薄膜制备方法与集成方法，植入体执行端包括：人工耳蜗薄膜电极阵列，作为电激励源植入人工耳蜗的顶部；压电微驱动薄膜，作为声激励源位于所述人工耳蜗的底部；以及驱动电路，与所述人工耳蜗薄膜电极阵列和压电微驱动薄膜连接，用于接收体外声处理模块所输入的包含声音信息的信号并产生相应的驱动信号以驱动所述人工耳蜗薄膜电极阵列和所述压电微驱动薄膜。本发明具有如下优点：利用压电薄膜微驱动器代替助听器的扬声器部分，完成声电混合激励人工耳蜗的两种激励源完全可植入化设计，减轻患者佩戴的不便。