公开(公告)号：CN1801471A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510135546.9

申请日：2005-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  赵雁南 ,  杨泽红 ,  王家钦 ,  李世昌 ,  贾培发 ,  邓志东

IPC: H01L21/68 ,  G01B11/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。该状态检测为：设置大、中、小光强阈值分别为I01、I1、I2，检测第一个传感器对的接收光强为IS1，若IS1＝I01，则槽中无硅片，当I01＞IS1＞I1为槽中只有一个硅片，I1≥IS1＞I2为槽中硅片重叠，若IS1≤I2则为硅片倾斜；该硅片圆心重定位的方法为：设定圆心对中的硅片边缘和第一个传感器对光路相切时，第二个传感器对接收光强为I02，在该时刻检测第二个传感器对接收光强为IS2，比较IS2与I02，根据两者的差值计算出移动距离d，然后通过传输机械手移动来补偿该硅片的圆心偏差。本发明的方法使用简便，硬件成本低廉。

公开(公告)号：CN1794440A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510135545.4

申请日：2005-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  赵雁南 ,  杨泽红 ,  王家钦 ,  李世昌 ,  贾培发 ,  邓志东

IPC: H01L21/68 ,  G01B11/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。硅片状态检测方法为：设置光强阈值I0、I1，实时检测任一传感器对的光强为IS1，若IS1＝I0，则无硅片，当I0＞IS1＞I1则只有一个硅片，当IS1≤I1则有硅片重叠，若两个传感器发生遮光的时间不同则硅片处于倾斜状态；硅片圆心重定位方法为：当硅片边缘同时与两个传感器对的光场相切时，设此时传输机械手在X方向的位置为P0，在输片过程中，当硅片边缘与两个传感器对的光场相切时，此时传输手在X方向的位置为P1，若P1＝P0，则硅片处于理想位置，若P1≠P0，两者之差即为传输手在X方向上应补偿的距离。本发明使用简便，硬件成本低廉。

公开(公告)号：CN100336194C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200510135545.4

申请日：2005-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  赵雁南 ,  杨泽红 ,  王家钦 ,  李世昌 ,  贾培发 ,  邓志东

IPC: H01L21/68 ,  G01B11/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。硅片状态检测方法为：设置光强阈值I0、I1，实时检测任一传感器对的光强为IS1，若IS1＝I0，则无硅片，当I0＞IS1＞I1则只有一个硅片，当IS1≤I1则有硅片重叠，若两个传感器发生遮光的时间不同则硅片处于倾斜状态；硅片圆心重定位方法为：当硅片边缘同时与两个传感器对的光场相切时，设此时传输机械手在X方向的位置为P0，在输片过程中，当硅片边缘与两个传感器对的光场相切时，此时传输手在X方向的位置为P1，若P1＝P0，则硅片处于理想位置，若P1≠P0，两者之差即为传输手在X方向上应补偿的距离。本发明使用简便，硬件成本低廉。

公开(公告)号：CN100355055C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200510116695.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  李世昌 ,  赵雁南 ,  杨泽红 ,  王家钦 ,  贾培发 ,  慕强

IPC: H01L21/68 ,  G03F7/20 ,  G05B15/00

Abstract: 本发明属于计算机数值控制领域，特别涉及IC制造领域硅晶圆预对准的控制方法，包括：由硅晶圆的圆周采样、数据预处理、圆拟合和硅晶圆对心组成的硅晶圆定位方法；由缺口粗定位、缺口细采样、缺口拟合和将缺口中心旋转到指定的角度组成的缺口定位方法两部分。本发明可大大提高预对准精度。

公开(公告)号：CN1787200A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510116695.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  李世昌 ,  赵雁南 ,  杨泽红 ,  王家钦 ,  贾培发 ,  慕强

IPC: H01L21/68 ,  G03F7/20 ,  G05B15/00

Abstract: 本发明属于计算机数值控制领域，特别涉及IC制造领域硅晶圆预对准的控制方法，包括：由硅晶圆的圆周采样、数据预处理、圆拟合和硅晶圆对心组成的硅晶圆定位方法；由缺口粗定位、缺口细采样、缺口拟合和将缺口中心旋转到指定的角度组成的缺口定位方法两部分。本发明可大大提高预对准精度。

公开(公告)号：CN100355056C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200510135546.9

申请日：2005-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  赵雁南 ,  杨泽红 ,  王家钦 ,  李世昌 ,  贾培发 ,  邓志东

IPC: H01L21/68 ,  G01B11/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。该状态检测为：设置大、中、小光强阈值分别为IO1、I1、I2，检测第一个传感器对的接收光强为IS1，若IS1＝IO1，则槽中无硅片，当IO1＞IS1＞I1为槽中只有一个硅片，I1≥IS1＞I2为槽中硅片重叠，若IS1≤I2则为硅片倾斜；该硅片圆心重定位的方法为：设定圆心对中的硅片边缘和第一个传感器对光路相切时，第二个传感器对接收光强为IO2，在该时刻检测第二个传感器对接收光强为IS2，比较IS2与IO2，根据两者的差值计算出移动距离d，然后通过传输机械手移动来补偿该硅片的圆心偏差。本发明的方法使用简便，硬件成本低廉。