公开(公告)号：CN105503187B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510881890.6

申请日：2015-12-03

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 李甫 ,  吴晋 ,  康飞宇 ,  李敬锋

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/65

Abstract: 一种LaCuSeO热电化合物的制备方法包括以下步骤：以高纯的单质La、单质Se及CuO为原料，按照按摩尔比1：1：1的比例进行配料；将所述在保护气氛下进行干磨，得到中间化合物粉末，其中所述干磨时间为4‑10小时，所述干磨转速为400‑600r/min；将所述中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结，得到LaCuSeO热电化合物，其中所述放电等离子体烧结的烧结温度为650‑750℃，所述放电等离子体烧结的压力为50‑100MPa，所述放电等离子体烧结的烧结时间为3‑10min。本发明与现有技术相比，其通过一步机械合金化结合放电等离子体烧结制备LaCuSeO热电化合物，简化了制备工艺，降低了能耗。

公开(公告)号：CN105503187A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510881890.6

申请日：2015-12-03

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 李甫 ,  吴晋 ,  康飞宇 ,  李敬锋

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/65

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/667

Abstract: 一种LaCuSeO热电化合物的制备方法包括以下步骤：以高纯的单质La、单质Se及CuO为原料，按照按摩尔比1：1：1的比例进行配料；将所述在保护气氛下进行干磨，得到中间化合物粉末，其中所述干磨时间为4-10小时，所述干磨转速为400-600r/min；将所述中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结，得到LaCuSeO热电化合物，其中所述放电等离子体烧结的烧结温度为650-750℃，所述放电等离子体烧结的压力为50-100MPa，所述放电等离子体烧结的烧结时间为3-10min。本发明与现有技术相比，其通过一步机械合金化结合放电等离子体烧结制备LaCuSeO热电化合物，简化了制备工艺，降低了能耗。