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公开(公告)号：CN102924718A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210463063.1
申请日：2012-11-16
Applicant: 清华大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米结构的聚吡咯的制备方法，包括步骤：将具有一定纳米结构形貌的二氧化锰作为反应模板，在酸性溶液中与吡咯单体进行反应，所述酸性溶液的pH为0~6，反应温度为-10~50℃，吡咯单体与二氧化锰的摩尔量比≥1:2，制备得到聚吡咯，所述聚吡咯的纳米结构形貌与所述二氧化锰的纳米结构形貌相同。本发明的方法简单快捷、绿色环保、重复性高，反应过程可控，无需添加有污染性的表面活性剂，也不需要后续去除模板的工艺，所制备的聚吡咯聚合物具有很高的纯度、较高的导电性能和很好的环境稳定性，可通过改变二氧化锰的微观形貌可调控获得多种维度或多级结构的聚吡咯，可用于超级电容器、锂离子电池、传感器、场效应管和电致变色显示等领域。
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公开(公告)号：CN105126895A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510597043.7
申请日：2015-09-18
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: B01J27/24 , C01B21/082
Abstract: 一种石墨相氮化碳片层材料的制备方法，其包括如下步骤：提供一石墨相氮化碳粉体，并将该石墨相氮化碳粉体平铺于受热载体上；将上述含有石墨相氮化碳粉体的受热载体置于管式炉中，并在保护性气体气氛下将管式炉升温至150℃~600℃，而后在氨气气氛及负压状态下保温1min~20h，最后降温至室温得到石墨相氮化碳片层材料。本发明还提供一种由上述方法制备的石墨相氮化碳片层材料。
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公开(公告)号：CN102924718B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210463063.1
申请日：2012-11-16
Applicant: 清华大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米结构的聚吡咯的制备方法，包括步骤：将具有一定纳米结构形貌的二氧化锰作为反应模板，在酸性溶液中与吡咯单体进行反应，所述酸性溶液的pH为0~6，反应温度为-10~50℃，吡咯单体与二氧化锰的摩尔量比≥1:2，制备得到聚吡咯，所述聚吡咯的纳米结构形貌与所述二氧化锰的纳米结构形貌相同。本发明的方法简单快捷、绿色环保、重复性高，反应过程可控，无需添加有污染性的表面活性剂，也不需要后续去除模板的工艺，所制备的聚吡咯聚合物具有很高的纯度、较高的导电性能和很好的环境稳定性，可通过改变二氧化锰的微观形貌可调控获得多种维度或多级结构的聚吡咯，可用于超级电容器、锂离子电池、传感器、场效应管和电致变色显示等领域。
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公开(公告)号：CN105126895B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510597043.7
申请日：2015-09-18
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: B01J27/24 , C01B21/082
Abstract: 一种石墨相氮化碳片层材料的制备方法，其包括如下步骤：提供一石墨相氮化碳粉体，并将该石墨相氮化碳粉体平铺于受热载体上；将上述含有石墨相氮化碳粉体的受热载体置于管式炉中，并在保护性气体气氛下将管式炉升温至150℃~600℃，而后在氨气气氛及负压状态下保温1min~20h，最后降温至室温得到石墨相氮化碳片层材料。本发明还提供一种由上述方法制备的石墨相氮化碳片层材料。
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