公开(公告)号：CN114517091A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210225122.5

申请日：2022-03-09

Applicant: 渤海大学

Inventor： 王秋实 ,  左广淏 ,  陈双龙 ,  王雪娇

IPC: C09K11/59 ,  C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法，涉及纳米发光新材料技术领域，主要目的是实现稀土掺杂氮化硅纳米线的制备。该制备方法包括以下步骤：(1)以硅粉和氮气为原料，采用直流电弧法制备氮化硅纳米线；(2)制备的氮化硅纳米线与稀土氧化物混合制备稀土掺杂氮化硅纳米线。本方法制备的稀土掺杂氮化硅纳米线均匀且纯度较高，能够以氮化硅纳米线实现稀土离子的成功掺杂，为纳米级材料的发光领域器件提供了无限可能。

公开(公告)号：CN114517091B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202210225122.5

申请日：2022-03-09

Applicant: 渤海大学

Inventor： 王秋实 ,  左广淏 ,  陈双龙 ,  王雪娇

IPC: C09K11/59 ,  C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法，涉及纳米发光新材料技术领域，主要目的是实现稀土掺杂氮化硅纳米线的制备。该制备方法包括以下步骤：(1)以硅粉和氮气为原料，采用直流电弧法制备氮化硅纳米线；(2)制备的氮化硅纳米线与稀土氧化物混合制备稀土掺杂氮化硅纳米线。本方法制备的稀土掺杂氮化硅纳米线均匀且纯度较高，能够以氮化硅纳米线实现稀土离子的成功掺杂，为纳米级材料的发光领域器件提供了无限可能。