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公开(公告)号：CN114284372A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111447082.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
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公开(公告)号：CN113135591A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110316509.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , C23C18/12
Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法，所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中，然后加入柠檬酸钠水溶液，混合形成透明的微乳液；将去离子水与浓盐酸混合搅拌后，向其中加入钛酸四丁酯，混合形成钛源前驱液；将所述微乳液和所述钛源前驱液混合，然后将所述衬底放入混合溶液中，然后在80～130℃的温度下反应5～30h，反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干，得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法，大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度，在80～130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。
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公开(公告)号：CN114284372B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111447082.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
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公开(公告)号：CN113135591B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110316509.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , C23C18/12
Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法，所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中，然后加入柠檬酸钠水溶液，混合形成透明的微乳液；将去离子水与浓盐酸混合搅拌后，向其中加入钛酸四丁酯，混合形成钛源前驱液；将所述微乳液和所述钛源前驱液混合，然后将所述衬底放入混合溶液中，然后在80～130℃的温度下反应5～30h，反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干，得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法，大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度，在80～130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。
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