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公开(公告)号：CN119737866A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510008206.7
申请日：2025-01-03
Applicant: 湖北科技学院
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯‑电介质双曲超材料的古斯‑汉欣位移传感器，属于光学传感器技术领域。将石墨烯薄片和电介质薄片交替排列，形成周期性光子晶体结构,在近红外波段，对于给定的入射波长，在石墨烯和电介质组成的光子晶体中，通过调制石墨烯内电子的费米能级，色散空间呈现双曲色散特性。进一步通过改变费米能级、石墨烯层数和介质厚度，在双曲色散到椭圆色散的相变处，可以实现较大的GH位移，最大GH位移高达300倍入射波长。GH位移对波长响应十分灵敏，基于此效应，双曲型超材料高灵敏度电介质厚度和光波入射角度传感器。
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